AMD Athlon Neo MV-40 versus AMD Mobile Sempron SI-40

Analyse comparative des processeurs AMD Athlon Neo MV-40 et AMD Mobile Sempron SI-40 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

AMD Athlon Neo MV-40

versus

AMD Mobile Sempron SI-40

Différences

Raisons pour considerer le AMD Athlon Neo MV-40

CPU est plus nouveau: date de sortie 6 mois plus tard
Environ 67% consummation d’énergie moyen plus bas: 15 Watt versus 25 Watt

Date de sortie	6 January 2009 versus 4 July 2008
Thermal Design Power (TDP)	15 Watt versus 25 Watt

Raisons pour considerer le AMD Mobile Sempron SI-40

Environ 25% vitesse de fonctionnement plus vite: 2 GHz versus 1.6 GHz
Environ 5% température maximale du noyau plus haut: 100 °C versus 95 °C
Environ 30% meilleur performance en PassMark - Single thread mark: 631 versus 485
Environ 5% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 288 versus 275

Caractéristiques
Fréquence maximale	2 GHz versus 1.6 GHz
Température de noyau maximale	100 °C versus 95 °C
Référence
PassMark - Single thread mark	631 versus 485
PassMark - CPU mark	288 versus 275

Comparer les références

CPU 1: AMD Athlon Neo MV-40
CPU 2: AMD Mobile Sempron SI-40

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

485

631

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

275

288

Nom	AMD Athlon Neo MV-40	AMD Mobile Sempron SI-40
PassMark - Single thread mark	485	631
PassMark - CPU mark	275	288
Geekbench 4 - Single Core	777
Geekbench 4 - Multi-Core	719

Comparer les caractéristiques

	AMD Athlon Neo MV-40	AMD Mobile Sempron SI-40
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Huron	Sable
Date de sortie	6 January 2009	4 July 2008
Position dans l’évaluation de la performance	2795	2804
Série	AMD Athlon Neo	AMD Mobile Sempron
Segment vertical	Laptop	Laptop
Performance
Soutien de 64-bit
Front-side bus (FSB)	1600 MHz	1800 MHz
Cache L1	128 KB
Cache L2	512 KB	512 KB
Processus de fabrication	65 nm	65 nm
Température de noyau maximale	95 °C	100 °C
Fréquence maximale	1.6 GHz	2 GHz
Nombre de noyaux	1	1
Nombre de fils	1	1
Compatibilité
Prise courants soutenu	ASB1	S1g2
Thermal Design Power (TDP)	15 Watt	25 Watt
Technologies élevé
VirusProtect
Virtualization
AMD Virtualization (AMD-V™)