AMD Athlon Neo MV-40 versus AMD Mobile Sempron SI-40

Analyse comparative des processeurs AMD Athlon Neo MV-40 et AMD Mobile Sempron SI-40 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

 

Différences

Raisons pour considerer le AMD Athlon Neo MV-40

  • CPU est plus nouveau: date de sortie 6 mois plus tard
  • Environ 67% consummation d’énergie moyen plus bas: 15 Watt versus 25 Watt
Date de sortie 6 January 2009 versus 4 July 2008
Thermal Design Power (TDP) 15 Watt versus 25 Watt

Raisons pour considerer le AMD Mobile Sempron SI-40

  • Environ 25% vitesse de fonctionnement plus vite: 2 GHz versus 1.6 GHz
  • Environ 5% température maximale du noyau plus haut: 100 °C versus 95 °C
  • Environ 30% meilleur performance en PassMark - Single thread mark: 631 versus 485
  • Environ 5% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 288 versus 275
Caractéristiques
Fréquence maximale 2 GHz versus 1.6 GHz
Température de noyau maximale 100 °C versus 95 °C
Référence
PassMark - Single thread mark 631 versus 485
PassMark - CPU mark 288 versus 275

Comparer les références

CPU 1: AMD Athlon Neo MV-40
CPU 2: AMD Mobile Sempron SI-40

PassMark - Single thread mark
CPU 1
CPU 2
485
631
PassMark - CPU mark
CPU 1
CPU 2
275
288
Nom AMD Athlon Neo MV-40 AMD Mobile Sempron SI-40
PassMark - Single thread mark 485 631
PassMark - CPU mark 275 288
Geekbench 4 - Single Core 777
Geekbench 4 - Multi-Core 719

Comparer les caractéristiques

AMD Athlon Neo MV-40 AMD Mobile Sempron SI-40

Essentiel

Nom de code de l’architecture Huron Sable
Date de sortie 6 January 2009 4 July 2008
Position dans l’évaluation de la performance 2794 2804
Série AMD Athlon Neo AMD Mobile Sempron
Segment vertical Laptop Laptop

Performance

Soutien de 64-bit
Front-side bus (FSB) 1600 MHz 1800 MHz
Cache L1 128 KB
Cache L2 512 KB 512 KB
Processus de fabrication 65 nm 65 nm
Température de noyau maximale 95 °C 100 °C
Fréquence maximale 1.6 GHz 2 GHz
Nombre de noyaux 1 1
Nombre de fils 1 1

Compatibilité

Prise courants soutenu ASB1 S1g2
Thermal Design Power (TDP) 15 Watt 25 Watt

Technologies élevé

VirusProtect

Virtualization

AMD Virtualization (AMD-V™)