Intel Atom E680 versus Intel Core 2 Duo SU7300
Analyse comparative des processeurs Intel Atom E680 et Intel Core 2 Duo SU7300 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Mémoire, Graphiques, Compatibilité, Périphériques, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Différences
Raisons pour considerer le Intel Atom E680
- CPU est plus nouveau: date de sortie 1 ans 0 mois plus tard
- Environ 23% vitesse de fonctionnement plus vite: 1.6 GHz versus 1.3 GHz
- 2x consummation d’énergie moyen plus bas: 4.5 Watt versus 10 Watt
Date de sortie | September 2010 versus 1 September 2009 |
Fréquence maximale | 1.6 GHz versus 1.3 GHz |
Thermal Design Power (TDP) | 4.5 Watt versus 10 Watt |
Raisons pour considerer le Intel Core 2 Duo SU7300
- 1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
- 6x plus de la cache L2, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L2 pour l’accès facil plus tard
Nombre de noyaux | 2 versus 1 |
Cache L2 | 3 MB versus 512 KB (per core) |
Comparer les références
CPU 1: Intel Atom E680
CPU 2: Intel Core 2 Duo SU7300
Nom | Intel Atom E680 | Intel Core 2 Duo SU7300 |
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PassMark - Single thread mark | 0 | |
PassMark - CPU mark | 346 | |
Geekbench 4 - Single Core | 177 | |
Geekbench 4 - Multi-Core | 309 |
Comparer les caractéristiques
Intel Atom E680 | Intel Core 2 Duo SU7300 | |
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Essentiel |
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Nom de code de l’architecture | Tunnel Creek | Penryn |
Date de sortie | September 2010 | 1 September 2009 |
Position dans l’évaluation de la performance | 3335 | 3290 |
Processor Number | E680 | |
Série | Legacy Intel Atom® Processors | Intel Core 2 Duo |
Status | Launched | |
Segment vertical | Embedded | Laptop |
Performance |
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Base frequency | 1.60 GHz | |
Bus Speed | 2500 MHz PCIE | |
Taille de dé | 26 mm | 107 mm |
Cache L1 | 64 KB (per core) | |
Cache L2 | 512 KB (per core) | 3 MB |
Processus de fabrication | 45 nm | 45 nm |
Température de noyau maximale | 90°C | |
Fréquence maximale | 1.6 GHz | 1.3 GHz |
Nombre de noyaux | 1 | 2 |
Nombre de fils | 2 | 2 |
Compte de transistor | 47 million | 410 Million |
Rangée de tension VID | VCC (0.75 - 0.9V), VNN (0.75 - 1.1V) | |
Soutien de 64-bit | ||
Front-side bus (FSB) | 800 MHz | |
Mémoire |
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Réseaux de mémoire maximale | 1 | |
Taille de mémore maximale | 2 GB | |
Genres de mémoire soutenus | DDR2 800 | |
Graphiques |
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Graphics base frequency | 400 MHz | |
Graphiques du processeur | Integrated | |
Compatibilité |
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Low Halogen Options Available | ||
Nombre de CPUs maximale dans une configuration | 1 | |
Package Size | 22mmx22mm | |
Prise courants soutenu | FCBGA676 | BGA956 |
Thermal Design Power (TDP) | 4.5 Watt | 10 Watt |
Périphériques |
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Nombre maximale des voies PCIe | 4 | |
Révision PCI Express | 1.0a | |
PCIe configurations | x1, root complex only | |
Sécurité & fiabilité |
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Execute Disable Bit (EDB) | ||
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Technologies élevé |
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Technologie Enhanced Intel SpeedStep® | ||
FSB parity | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Technologie Intel® Hyper-Threading | ||
Technologie Intel® Turbo Boost | ||
Thermal Monitoring | ||
Virtualization |
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Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) |