AMD Phenom II X2 P650 versus AMD Phenom II X2 X620 BE

Analyse comparative des processeurs AMD Phenom II X2 P650 et AMD Phenom II X2 X620 BE pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Mémoire, Compatibilité, Technologies élevé. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

AMD Phenom II X2 P650

versus

AMD Phenom II X2 X620 BE

Différences

Raisons pour considerer le AMD Phenom II X2 P650

CPU est plus nouveau: date de sortie 5 mois plus tard
Environ 29% consummation d’énergie moyen plus bas: 35 Watt versus 45 Watt

Date de sortie	19 October 2010 versus 12 May 2010
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt versus 45 Watt

Raisons pour considerer le AMD Phenom II X2 X620 BE

Environ 11% vitesse de fonctionnement plus vite: 3.1 GHz versus 2.8 GHz
Environ 36% meilleur performance en PassMark - Single thread mark: 1339 versus 985
Environ 35% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 1262 versus 933

Caractéristiques
Fréquence maximale	3.1 GHz versus 2.8 GHz
Référence
PassMark - Single thread mark	1339 versus 985
PassMark - CPU mark	1262 versus 933

Comparer les références

CPU 1: AMD Phenom II X2 P650
CPU 2: AMD Phenom II X2 X620 BE

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

985

1339

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

933

1262

Nom	AMD Phenom II X2 P650	AMD Phenom II X2 X620 BE
PassMark - Single thread mark	985	1339
PassMark - CPU mark	933	1262
Geekbench 4 - Single Core	1527
Geekbench 4 - Multi-Core	2644

Comparer les caractéristiques

	AMD Phenom II X2 P650	AMD Phenom II X2 X620 BE
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Champlain	Champlain
Family	AMD Phenom
Date de sortie	19 October 2010	12 May 2010
OPN Tray	HMP650SGR23GM
Position dans l’évaluation de la performance	1914	1926
Série	AMD Phenom II Dual-Core Mobile Processors	2x AMD Phenom II
Segment vertical	Laptop	Laptop
Performance
Soutien de 64-bit
Base frequency	2.6 GHz
Front-side bus (FSB)	3600 MHz	3600 MHz
Cache L1	256 KB
Cache L2	2 MB	2048 KB
Processus de fabrication	45 nm	45 nm
Température de noyau maximale	100°C
Fréquence maximale	2.8 GHz	3.1 GHz
Nombre de noyaux	2	2
Nombre de fils	2	2
Ouvert
Mémoire
Genres de mémoire soutenus	DDR3
Compatibilité
Prise courants soutenu	S1	S1
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt	45 Watt
Technologies élevé
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