Intel Atom Z540 versus Intel Pentium 4-M 2.60
Analyse comparative des processeurs Intel Atom Z540 et Intel Pentium 4-M 2.60 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization, Mémoire. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Différences
Raisons pour considerer le Intel Atom Z540
- CPU est plus nouveau: date de sortie 4 ans 10 mois plus tard
- Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 45 nm versus 130 nm
- 8x plus de la cache L1, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L1 pour l’accès facil plus tard
- 17.5x consummation d’énergie moyen plus bas: 2.4 Watt versus 35 Watt
- Environ 11% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 348 versus 313
Caractéristiques | |
Date de sortie | April 2008 versus June 2003 |
Processus de fabrication | 45 nm versus 130 nm |
Cache L1 | 64 KB (per core) versus 8 KB |
Thermal Design Power (TDP) | 2.4 Watt versus 35 Watt |
Référence | |
PassMark - CPU mark | 348 versus 313 |
Raisons pour considerer le Intel Pentium 4-M 2.60
- Environ 40% vitesse de fonctionnement plus vite: 2.6 GHz versus 1.86 GHz
- Environ 11% température maximale du noyau plus haut: 100°C versus 90°C
Fréquence maximale | 2.6 GHz versus 1.86 GHz |
Température de noyau maximale | 100°C versus 90°C |
Comparer les références
CPU 1: Intel Atom Z540
CPU 2: Intel Pentium 4-M 2.60
PassMark - CPU mark |
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Nom | Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 2.60 |
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PassMark - Single thread mark | 0 | 0 |
PassMark - CPU mark | 348 | 313 |
Comparer les caractéristiques
Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 2.60 | |
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Essentiel |
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Nom de code de l’architecture | Silverthorne | Northwood |
Date de sortie | April 2008 | June 2003 |
Position dans l’évaluation de la performance | 3339 | 3346 |
Processor Number | Z540 | |
Série | Legacy Intel Atom® Processors | Legacy Intel® Pentium® Processor |
Status | Discontinued | Discontinued |
Segment vertical | Mobile | Mobile |
Performance |
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Base frequency | 1.86 GHz | 2.60 GHz |
Bus Speed | 533 MHz FSB | 400 MHz FSB |
Taille de dé | 26 mm2 | 131 mm2 |
Cache L1 | 64 KB (per core) | 8 KB |
Cache L2 | 512 KB (per core) | 512 KB |
Processus de fabrication | 45 nm | 130 nm |
Température de noyau maximale | 90°C | 100°C |
Fréquence maximale | 1.86 GHz | 2.6 GHz |
Nombre de noyaux | 1 | 1 |
Compte de transistor | 47 million | 55 million |
Rangée de tension VID | 0.75 -1.1V | 1.3V |
Soutien de 64-bit | ||
Compatibilité |
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Low Halogen Options Available | ||
Nombre de CPUs maximale dans une configuration | 1 | 1 |
Package Size | 13mm x 14mm | 35mm x 35mm |
Scenario Design Power (SDP) | 0.96 W | |
Prise courants soutenu | PBGA441 | PPGA478 |
Thermal Design Power (TDP) | 2.4 Watt | 35 Watt |
Sécurité & fiabilité |
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Execute Disable Bit (EDB) | ||
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Technologies élevé |
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Technologie Enhanced Intel SpeedStep® | ||
FSB parity | ||
Idle States | ||
Extensions de l’ensemble d’instructions | Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3 | |
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Technologie Intel® Hyper-Threading | ||
Technologie Intel® Turbo Boost | ||
Thermal Monitoring | ||
Virtualization |
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Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||
Mémoire |
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Genres de mémoire soutenus | DDR1, DDR2 |