Intel Celeron Dual-Core T1700 versus Intel Celeron M 540

Analyse comparative des processeurs Intel Celeron Dual-Core T1700 et Intel Celeron M 540 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Celeron Dual-Core T1700

versus

Intel Celeron M 540

Différences

Raisons pour considerer le Intel Celeron Dual-Core T1700

CPU est plus nouveau: date de sortie 1 ans 2 mois plus tard
1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
1 plus de fils: 2 versus 1
Environ 95% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 1058 versus 542

Caractéristiques
Date de sortie	7 December 2008 versus 1 October 2007
Nombre de noyaux	2 versus 1
Nombre de fils	2 versus 1
Référence
PassMark - CPU mark	1058 versus 542

Raisons pour considerer le Intel Celeron M 540

Environ 2% vitesse de fonctionnement plus vite: 1.86 GHz versus 1.83 GHz
Environ 17% consummation d’énergie moyen plus bas: 30 Watt versus 35 Watt

Fréquence maximale	1.86 GHz versus 1.83 GHz
Thermal Design Power (TDP)	30 Watt versus 35 Watt

Comparer les références

CPU 1: Intel Celeron Dual-Core T1700
CPU 2: Intel Celeron M 540

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

1058

542

Nom	Intel Celeron Dual-Core T1700	Intel Celeron M 540
PassMark - Single thread mark	0	0
PassMark - CPU mark	1058	542

Comparer les caractéristiques

	Intel Celeron Dual-Core T1700	Intel Celeron M 540
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Merom	Merom
Date de sortie	7 December 2008	1 October 2007
Position dans l’évaluation de la performance	3323	3326
Processor Number	T1700	540
Série	Legacy Intel® Celeron® Processor	Legacy Intel® Celeron® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Segment vertical	Mobile	Mobile
Performance
Soutien de 64-bit
Base frequency	1.83 GHz	1.86 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB	533 MHz FSB
Taille de dé	143 mm2	143 mm2
Front-side bus (FSB)	667 MHz	533 MHz
Cache L2	1024 KB	1 MB
Processus de fabrication	65 nm	65 nm
Température de noyau maximale	100°C	100°C
Fréquence maximale	1.83 GHz	1.86 GHz
Nombre de noyaux	2	1
Nombre de fils	2	1
Compte de transistor	291 million	291 million
Rangée de tension VID	1.075V-1.175V	0.95V-1.30V
Compatibilité
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm	35mm x 35mm
Prise courants soutenu	PPGA478	PPGA478
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt	30 Watt
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Idle States
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)