NVIDIA H100 PCIe 96 GB versus NVIDIA Tesla V100 DGXS

Comparaison des cartes vidéo NVIDIA H100 PCIe 96 GB and NVIDIA Tesla V100 DGXS pour tous les caractéristiques connus dans les catégories suivants: Essentiel, Infos techniques, Sorties et ports de vidéo, Compatibilité, dimensions et exigences, Soutien API, Mémoire. Analyse du performance de référence des cartes vidéo: Geekbench - OpenCL.

 

Différences

Raisons pour considerer le NVIDIA H100 PCIe 96 GB

  • La carte vidéo est plus nouvelle: date de sortie 3 ans 11 mois plus tard
  • 2x plus de vitesse du noyau: 1665 MHz versus 823 MHz
  • 2x plus de vitesse augmenté: 1837 MHz versus 918 MHz
  • times}x plus de taux de remplissage de la texture: 969.9 GTexel/s versus 463.0 GTexel / s
  • 3.3x plus de pipelines: 16896 versus 5120
  • Un nouveau processus de fabrication soutient une carte vidéo plus forte, mais moins chaude: 4 nm versus 12 nm
  • 3x plus de taille maximale de mémoire : 96 GB versus 32 GB
Date de sortie 22 Mar 2022 versus 27 March 2018
Vitesse du noyau 1665 MHz versus 823 MHz
Vitesse augmenté 1837 MHz versus 918 MHz
Taux de remplissage de la texture 969.9 GTexel/s versus 463.0 GTexel / s
Pipelines 16896 versus 5120
Processus de fabrication 4 nm versus 12 nm
Taille de mémore maximale 96 GB versus 32 GB

Raisons pour considerer le NVIDIA Tesla V100 DGXS

  • 2.8x consummation d’énergie moyen plus bas: 250 Watt versus 700 Watt
  • Environ 33% plus haut de vitesse de mémoire: 1752 MHz versus 1313 MHz, 2.6 Gbps effective
Thermal Design Power (TDP) 250 Watt versus 700 Watt
Vitesse de mémoire 1752 MHz versus 1313 MHz, 2.6 Gbps effective

Comparer les références

GPU 1: NVIDIA H100 PCIe 96 GB
GPU 2: NVIDIA Tesla V100 DGXS

Nom NVIDIA H100 PCIe 96 GB NVIDIA Tesla V100 DGXS
Geekbench - OpenCL 161295

Comparer les caractéristiques

NVIDIA H100 PCIe 96 GB NVIDIA Tesla V100 DGXS

Essentiel

Architecture Hopper Volta
Nom de code GH100 GV100
Date de sortie 22 Mar 2022 27 March 2018
Position dans l’évaluation de la performance not rated 57
Genre Workstation

Infos techniques

Vitesse augmenté 1837 MHz 918 MHz
Vitesse du noyau 1665 MHz 823 MHz
Processus de fabrication 4 nm 12 nm
Pipelines 16896 5120
Pixel fill rate 44.09 GPixel/s
Taux de remplissage de la texture 969.9 GTexel/s 463.0 GTexel / s
Thermal Design Power (TDP) 700 Watt 250 Watt
Compte de transistor 80000 million 21,100 million
Performance á point flottant 14,817 gflops

Sorties et ports de vidéo

Connecteurs d’écran No outputs No outputs

Compatibilité, dimensions et exigences

Facteur de forme SXM Module
Interface PCIe 5.0 x16 PCIe 3.0 x16
Énergie du systeme recommandé (PSU) 1100 Watt
Connecteurs d’énergie supplementaires 8-pin EPS None

Soutien API

OpenCL 3.0
DirectX 12.0 (12_1)
OpenGL 4.6

Mémoire

RAM maximale 96 GB 32 GB
Bande passante de la mémoire 1,681 GB/s 897.0 GB / s
Largeur du bus mémoire 5120 bit 4096 Bit
Vitesse de mémoire 1313 MHz, 2.6 Gbps effective 1752 MHz
Genre de mémoire HBM3 HBM2