Intel Core 2 Duo T5470 vs Intel Core 2 Duo T5670
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo T5470 и Intel Core 2 Duo T5670 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5470
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 1% больше: 590 vs 587
Бенчмарки | |
PassMark - CPU mark | 590 vs 587 |
Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5670
- Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 4% больше: 664 vs 636
- Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Multi-Core примерно на 3% больше: 1713 vs 1671
Бенчмарки | |
PassMark - Single thread mark | 664 vs 636 |
Geekbench 4 - Single Core | 1097 vs 1096 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 1713 vs 1671 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo T5470
CPU 2: Intel Core 2 Duo T5670
PassMark - Single thread mark |
|
|
||||
PassMark - CPU mark |
|
|
||||
Geekbench 4 - Single Core |
|
|
||||
Geekbench 4 - Multi-Core |
|
|
Название | Intel Core 2 Duo T5470 | Intel Core 2 Duo T5670 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 636 | 664 |
PassMark - CPU mark | 590 | 587 |
Geekbench 4 - Single Core | 1096 | 1097 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 1671 | 1713 |
Сравнение характеристик
Intel Core 2 Duo T5470 | Intel Core 2 Duo T5670 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Merom | Merom |
Место в рейтинге | 2398 | 2394 |
Processor Number | T5470 | T5670 |
Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel® Core™ Processors |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Mobile | Mobile |
Дата выпуска | 1 March 2008 | |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 1.60 GHz | 1.80 GHz |
Bus Speed | 800 MHz FSB | 800 MHz FSB |
Площадь кристалла | 143 mm2 | 143 mm2 |
Технологический процесс | 65 nm | 65 nm |
Максимальная температура ядра | 100°C | 100°C |
Количество ядер | 2 | 2 |
Количество транзисторов | 291 million | 291 million |
Допустимое напряжение ядра | 1.075V-1.250V | 1.0375V-1.30V |
Системная шина (FSB) | 800 MHz | |
Кэш 2-го уровня | 2048 KB | |
Максимальная частота | 1.8 GHz | |
Количество потоков | 2 | |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 35mm x 35mm | 35mm x 35mm |
Поддерживаемые сокеты | PPGA478 | |
Энергопотребление (TDP) | 35 Watt | 35 Watt |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Idle States | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) |