AMD Radeon RX 7600M vs NVIDIA Tesla V100 DGXS

Сравнительный анализ видеокарт AMD Radeon RX 7600M и NVIDIA Tesla V100 DGXS по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Технические характеристики, Видеовыходы и порты, Совместимость, размеры, требования, Поддержка API, Память. Анализ производительности видеокарт по бенчмаркам: PassMark - G2D Mark, PassMark - G3D Mark, Geekbench - OpenCL.

AMD Radeon RX 7600M

NVIDIA Tesla V100 DGXS

Преимущества

Причины выбрать AMD Radeon RX 7600M

Видеокарта новее, разница в датах выпуска 4 year(s) 9 month(s)
Частота ядра примерно на 82% больше: 1500 MHz vs 823 MHz
Частота ядра в режиме Boost в 2.6 раз(а) больше: 2410 MHz vs 918 MHz
Скорость текстурирования в 582.9 раз(а) больше: 269.9 GTexel/s vs 463.0 GTexel / s
Более новый технологический процесс производства видеокарты позволяет её сделать более мощной, но с меньшим энергопотреблением: 6 nm vs 12 nm
В 2.8 раз меньше энергопотребление: 90 Watt vs 250 Watt
Частота памяти на 14% больше: 2000 MHz, 16 Gbps effective vs 1752 MHz

Дата выпуска	4 Jan 2023 vs 27 March 2018
Частота ядра	1500 MHz vs 823 MHz
Частота ядра в режиме Boost	2410 MHz vs 918 MHz
Скорость текстурирования	269.9 GTexel/s vs 463.0 GTexel / s
Технологический процесс	6 nm vs 12 nm
Энергопотребление (TDP)	90 Watt vs 250 Watt
Частота памяти	2000 MHz, 16 Gbps effective vs 1752 MHz

Причины выбрать NVIDIA Tesla V100 DGXS

Количество шейдерных процессоров в 2.9 раз(а) больше: 5120 vs 1792
Максимальный размер памяти больше в 4 раз(а): 32 GB vs 8 GB

Количество шейдерных процессоров	5120 vs 1792
Максимальный размер памяти	32 GB vs 8 GB

Сравнение бенчмарков

GPU 1: AMD Radeon RX 7600M
GPU 2: NVIDIA Tesla V100 DGXS

Название	AMD Radeon RX 7600M	NVIDIA Tesla V100 DGXS
PassMark - G2D Mark	867
PassMark - G3D Mark	11582
Geekbench - OpenCL		161295

Сравнение характеристик

	AMD Radeon RX 7600M	NVIDIA Tesla V100 DGXS
Общая информация
Архитектура	RDNA 3.0	Volta
Кодовое имя	Navi 33	GV100
Дата выпуска	4 Jan 2023	27 March 2018
Место в рейтинге	59	57
Тип		Workstation
Технические характеристики
Частота ядра в режиме Boost	2410 MHz	918 MHz
Количество конвейеров Compute	28
Частота ядра	1500 MHz	823 MHz
Технологический процесс	6 nm	12 nm
Количество шейдерных процессоров	1792	5120
Скорость заполнения пикселей	154.2 GPixel/s
Скорость текстурирования	269.9 GTexel/s	463.0 GTexel / s
Энергопотребление (TDP)	90 Watt	250 Watt
Количество транзисторов	13300 million	21,100 million
Производительность с плавающей точкой		14,817 gflops
Видеовыходы и порты
Видеоразъёмы	Portable Device Dependent	No outputs
Совместимость, размеры, требования
Форм-фактор	IGP
Интерфейс	PCIe 4.0 x16	PCIe 3.0 x16
Дополнительные разъемы питания	None	None
Поддержка API
DirectX	12 Ultimate (12_2)	12.0 (12_1)
OpenCL	2.2
OpenGL	4.6	4.6
Shader Model	6.7
Vulkan
Память
Максимальный размер памяти	8 GB	32 GB
Пропускная способность памяти	256.0 GB/s	897.0 GB / s
Ширина шины памяти	128 bit	4096 Bit
Частота памяти	2000 MHz, 16 Gbps effective	1752 MHz
Тип памяти	GDDR6	HBM2