AMD Phenom II N960 versus AMD FX-8310

Analyse comparative des processeurs AMD Phenom II N960 et AMD FX-8310 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Mémoire, Compatibilité, Technologies élevé. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core, CompuBench 1.5 Desktop - Ocean Surface Simulation (Frames/s).

AMD Phenom II N960

versus

AMD FX-8310

Différences

Raisons pour considerer le AMD Phenom II N960

Environ 42% température maximale du noyau plus haut: 100°C versus 70.50°C
2.7x consummation d’énergie moyen plus bas: 35 Watt versus 95 Watt

Température de noyau maximale	100°C versus 70.50°C
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt versus 95 Watt

Raisons pour considerer le AMD FX-8310

Processeur est ouvert; un multiplicateur ouvert soutien le overclocking plus facile
4 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 8 versus 4
4 plus de fils: 8 versus 4
4x plus de la cache L2, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L2 pour l’accès facil plus tard

Ouvert	Ouvert versus barré
Nombre de noyaux	8 versus 4
Nombre de fils	8 versus 4
Cache L2	8 MB versus 2 MB

Comparer les références

CPU 1: AMD Phenom II N960
CPU 2: AMD FX-8310

Nom	AMD Phenom II N960	AMD FX-8310
PassMark - Single thread mark		1408
PassMark - CPU mark		5045
Geekbench 4 - Single Core		2352
Geekbench 4 - Multi-Core		8788
CompuBench 1.5 Desktop - Ocean Surface Simulation (Frames/s)		30.36

Comparer les caractéristiques

	AMD Phenom II N960	AMD FX-8310
Essentiel
Family	AMD Phenom	AMD FX-Series Processors
OPN Tray	HMP960SGR42GM	FD8310WMW8KHK
Position dans l’évaluation de la performance	not rated	1340
Série	AMD Phenom II Quad-Core Mobile Processors	AMD FX 8-Core Black Edition Processors
Segment vertical	Laptop	Desktop
OPN PIB		FD8310WMHKSBX
Performance
Base frequency	1.8 GHz	3.4 GHz
Cache L1	512 KB
Cache L2	2 MB	8 MB
Température de noyau maximale	100°C	70.50°C
Nombre de noyaux	4	8
Nombre de fils	4	8
Ouvert
Processus de fabrication		32 nm
Fréquence maximale		4.3 GHz
Mémoire
Genres de mémoire soutenus	DDR3
Compatibilité
Prise courants soutenu	S1	AM3+
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt	95 Watt
Technologies élevé
Intel® AES New Instructions