AMD Turion II Neo K625 versus AMD Mobile Sempron SI-40

Analyse comparative des processeurs AMD Turion II Neo K625 et AMD Mobile Sempron SI-40 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

 

Différences

Raisons pour considerer le AMD Turion II Neo K625

  • CPU est plus nouveau: date de sortie 1 ans 10 mois plus tard
  • 1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
  • 1 plus de fils: 2 versus 1
  • Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 45 nm versus 65 nm
  • 2x plus de la cache L2, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L2 pour l’accès facil plus tard
  • Environ 67% consummation d’énergie moyen plus bas: 15 Watt versus 25 Watt
  • 2.1x meilleur performance en PassMark - CPU mark: 618 versus 288
Caractéristiques
Date de sortie 12 May 2010 versus 4 July 2008
Nombre de noyaux 2 versus 1
Nombre de fils 2 versus 1
Processus de fabrication 45 nm versus 65 nm
Cache L2 1024 KB versus 512 KB
Thermal Design Power (TDP) 15 Watt versus 25 Watt
Référence
PassMark - CPU mark 618 versus 288

Raisons pour considerer le AMD Mobile Sempron SI-40

  • Environ 33% vitesse de fonctionnement plus vite: 2 GHz versus 1.5 GHz
Fréquence maximale 2 GHz versus 1.5 GHz

Comparer les références

CPU 1: AMD Turion II Neo K625
CPU 2: AMD Mobile Sempron SI-40

PassMark - Single thread mark
CPU 1
CPU 2
631
631
PassMark - CPU mark
CPU 1
CPU 2
618
288
Nom AMD Turion II Neo K625 AMD Mobile Sempron SI-40
PassMark - Single thread mark 631 631
PassMark - CPU mark 618 288

Comparer les caractéristiques

AMD Turion II Neo K625 AMD Mobile Sempron SI-40

Essentiel

Nom de code de l’architecture Geneva Sable
Date de sortie 12 May 2010 4 July 2008
Position dans l’évaluation de la performance 2791 2804
Série AMD Turion II Neo AMD Mobile Sempron
Segment vertical Laptop Laptop

Performance

Soutien de 64-bit
Front-side bus (FSB) 3200 MHz 1800 MHz
Cache L2 1024 KB 512 KB
Processus de fabrication 45 nm 65 nm
Fréquence maximale 1.5 GHz 2 GHz
Nombre de noyaux 2 1
Nombre de fils 2 1
Température de noyau maximale 100 °C

Compatibilité

Prise courants soutenu S1 S1g2
Thermal Design Power (TDP) 15 Watt 25 Watt