AMD Turion II Neo K625 vs AMD Mobile Sempron SI-40

Vergleichende Analyse von AMD Turion II Neo K625 und AMD Mobile Sempron SI-40 Prozessoren für alle bekannten Merkmale in den folgenden Kategorien: Essenzielles, Leistung, Kompatibilität. Benchmark-Prozessorleistungsanalyse: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

AMD Turion II Neo K625

AMD Mobile Sempron SI-40

Unterschiede

Gründe, die für die Berücksichtigung der AMD Turion II Neo K625

CPU ist neuer: Startdatum 1 Jahr(e) 10 Monat(e) später
1 mehr Kerne, mehr Anwendungen auf einmal ausführen: 2 vs 1
1 Mehr Kanäle: 2 vs 1
Ein neuerer Herstellungsprozess ermöglicht einen leistungsfähigeren, aber dennoch kühleren laufenden Prozessor: 45 nm vs 65 nm
2x mehr L2 Cache, mehr Daten können im L2 Cache gespeichert werden, um später schnell darauf zugreifen zu können
Etwa 67% geringere typische Leistungsaufnahme: 15 Watt vs 25 Watt
2.1x bessere Leistung in PassMark - CPU mark: 618 vs 288

Spezifikationen
Startdatum	12 May 2010 vs 4 July 2008
Anzahl der Adern	2 vs 1
Anzahl der Gewinde	2 vs 1
Fertigungsprozesstechnik	45 nm vs 65 nm
L2 Cache	1024 KB vs 512 KB
Thermische Designleistung (TDP)	15 Watt vs 25 Watt
Benchmarks
PassMark - CPU mark	618 vs 288

Gründe, die für die Berücksichtigung der AMD Mobile Sempron SI-40

Etwa 33% höhere Taktfrequenz: 2 GHz vs 1.5 GHz

Maximale Frequenz	2 GHz vs 1.5 GHz

Benchmarks vergleichen

CPU 1: AMD Turion II Neo K625
CPU 2: AMD Mobile Sempron SI-40

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

631

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

618

288

Name	AMD Turion II Neo K625	AMD Mobile Sempron SI-40
PassMark - Single thread mark	631	631
PassMark - CPU mark	618	288

Vergleichen Sie Spezifikationen

	AMD Turion II Neo K625	AMD Mobile Sempron SI-40
Essenzielles
Architektur Codename	Geneva	Sable
Startdatum	12 May 2010	4 July 2008
Platz in der Leistungsbewertung	2790	2804
Serie	AMD Turion II Neo	AMD Mobile Sempron
Vertikales Segment	Laptop	Laptop
Leistung
64-Bit-Unterstützung
Frontseitiger Bus (FSB)	3200 MHz	1800 MHz
L2 Cache	1024 KB	512 KB
Fertigungsprozesstechnik	45 nm	65 nm
Maximale Frequenz	1.5 GHz	2 GHz
Anzahl der Adern	2	1
Anzahl der Gewinde	2	1
Maximale Kerntemperatur		100 °C
Kompatibilität
Unterstützte Sockel	S1	S1g2
Thermische Designleistung (TDP)	15 Watt	25 Watt