AMD Turion II Neo K625 vs AMD Mobile Sempron SI-40

Vergleichende Analyse von AMD Turion II Neo K625 und AMD Mobile Sempron SI-40 Prozessoren für alle bekannten Merkmale in den folgenden Kategorien: Essenzielles, Leistung, Kompatibilität. Benchmark-Prozessorleistungsanalyse: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

 

Unterschiede

Gründe, die für die Berücksichtigung der AMD Turion II Neo K625

  • CPU ist neuer: Startdatum 1 Jahr(e) 10 Monat(e) später
  • 1 mehr Kerne, mehr Anwendungen auf einmal ausführen: 2 vs 1
  • 1 Mehr Kanäle: 2 vs 1
  • Ein neuerer Herstellungsprozess ermöglicht einen leistungsfähigeren, aber dennoch kühleren laufenden Prozessor: 45 nm vs 65 nm
  • 2x mehr L2 Cache, mehr Daten können im L2 Cache gespeichert werden, um später schnell darauf zugreifen zu können
  • Etwa 67% geringere typische Leistungsaufnahme: 15 Watt vs 25 Watt
  • 2.1x bessere Leistung in PassMark - CPU mark: 618 vs 288
Spezifikationen
Startdatum 12 May 2010 vs 4 July 2008
Anzahl der Adern 2 vs 1
Anzahl der Gewinde 2 vs 1
Fertigungsprozesstechnik 45 nm vs 65 nm
L2 Cache 1024 KB vs 512 KB
Thermische Designleistung (TDP) 15 Watt vs 25 Watt
Benchmarks
PassMark - CPU mark 618 vs 288

Gründe, die für die Berücksichtigung der AMD Mobile Sempron SI-40

  • Etwa 33% höhere Taktfrequenz: 2 GHz vs 1.5 GHz
Maximale Frequenz 2 GHz vs 1.5 GHz

Benchmarks vergleichen

CPU 1: AMD Turion II Neo K625
CPU 2: AMD Mobile Sempron SI-40

PassMark - Single thread mark
CPU 1
CPU 2
631
631
PassMark - CPU mark
CPU 1
CPU 2
618
288
Name AMD Turion II Neo K625 AMD Mobile Sempron SI-40
PassMark - Single thread mark 631 631
PassMark - CPU mark 618 288

Vergleichen Sie Spezifikationen

AMD Turion II Neo K625 AMD Mobile Sempron SI-40

Essenzielles

Architektur Codename Geneva Sable
Startdatum 12 May 2010 4 July 2008
Platz in der Leistungsbewertung 2791 2804
Serie AMD Turion II Neo AMD Mobile Sempron
Vertikales Segment Laptop Laptop

Leistung

64-Bit-Unterstützung
Frontseitiger Bus (FSB) 3200 MHz 1800 MHz
L2 Cache 1024 KB 512 KB
Fertigungsprozesstechnik 45 nm 65 nm
Maximale Frequenz 1.5 GHz 2 GHz
Anzahl der Adern 2 1
Anzahl der Gewinde 2 1
Maximale Kerntemperatur 100 °C

Kompatibilität

Unterstützte Sockel S1 S1g2
Thermische Designleistung (TDP) 15 Watt 25 Watt