NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB vs NVIDIA GRID M10-8Q

Análisis comparativo de las tarjetas de video NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB y NVIDIA GRID M10-8Q para todas las características conocidas en las siguientes categorías: Esenciales, Información técnica, Puertos y salidas de video, Compatibilidad, dimensiones y requerimientos, Soporte de API, Memoria. Análisis de desempeño comparativo de tarjetas de video: Geekbench - OpenCL, GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Frames), GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Fps), GFXBench 4.0 - Manhattan (Frames), GFXBench 4.0 - Manhattan (Fps), GFXBench 4.0 - T-Rex (Frames), GFXBench 4.0 - T-Rex (Fps), PassMark - G2D Mark, PassMark - G3D Mark.

NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB

NVIDIA GRID M10-8Q

Diferencias

Razones para considerar el NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB

La tarjeta de video es más nueva: Fue lanzada al mercado 1 año(s) 1 mes(es) después
Velocidad de reloj del núcleo 21% más alta: 1246 MHz vs 1033 MHz
Impulso de la velocidad de reloj 6% más alto: 1380 MHz vs 1306 MHz
8.5 veces más la tasa de llenado de textura: 441.6 GTexel / s vs 52.24 GTexel / s
8 veces más pipelines: 5120 vs 640
8.5 veces mejor desempeño de punto flotante 14,131 gflops vs 1,672 gflops
Un proceso de manufactura más nuevo permite la creación de una tarjeta de video más poderosa y con una temperatura más baja: 12 nm vs 28 nm
2 veces más el tamaño máximo de memoria: 16 GB vs 8 GB
4.8 veces mejor desempeño en PassMark - G3D Mark: 12633 vs 2606

Especificaciones
Fecha de lanzamiento	21 June 2017 vs 18 May 2016
Velocidad de reloj del núcleo	1246 MHz vs 1033 MHz
Impulso de la velocidad de reloj	1380 MHz vs 1306 MHz
Tasa de llenado de textura	441.6 GTexel / s vs 52.24 GTexel / s
Pipelines	5120 vs 640
Desempeño de punto flotante	14,131 gflops vs 1,672 gflops
Tecnología de proceso de manufactura	12 nm vs 28 nm
Tamaño máximo de la memoria	16 GB vs 8 GB
Referencias
PassMark - G3D Mark	12633 vs 2606

Razones para considerar el NVIDIA GRID M10-8Q

Consumo de energía típico 11% más bajo: 225 Watt vs 250 Watt
3 veces más velocidad de reloj de memoria: 5200 MHz vs 1752 MHz
Alrededor de 8% mejor desempeño en PassMark - G2D Mark: 557 vs 515

Especificaciones
Diseño energético térmico (TDP)	225 Watt vs 250 Watt
Velocidad de reloj de memoria	5200 MHz vs 1752 MHz
Referencias
PassMark - G2D Mark	557 vs 515

Comparar referencias

GPU 1: NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB
GPU 2: NVIDIA GRID M10-8Q

PassMark - G2D Mark

GPU 1

GPU 2

515

557

PassMark - G3D Mark

GPU 1

GPU 2

12633

2606

Nombre	NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB	NVIDIA GRID M10-8Q
Geekbench - OpenCL	166109
GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Frames)	11451
GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Fps)	11451
GFXBench 4.0 - Manhattan (Frames)	3555
GFXBench 4.0 - Manhattan (Fps)	3555
GFXBench 4.0 - T-Rex (Frames)	3198
GFXBench 4.0 - T-Rex (Fps)	3198
PassMark - G2D Mark	515	557
PassMark - G3D Mark	12633	2606

Comparar especificaciones

	NVIDIA Tesla V100 PCIe 16 GB	NVIDIA GRID M10-8Q
Esenciales
Arquitectura	Volta	Maxwell
Nombre clave	GV100	GM107
Fecha de lanzamiento	21 June 2017	18 May 2016
Lugar en calificación por desempeño	209	206
Tipo	Workstation	Workstation
Información técnica
Impulso de la velocidad de reloj	1380 MHz	1306 MHz
Velocidad de reloj del núcleo	1246 MHz	1033 MHz
Desempeño de punto flotante	14,131 gflops	1,672 gflops
Tecnología de proceso de manufactura	12 nm	28 nm
Pipelines	5120	640
Tasa de llenado de textura	441.6 GTexel / s	52.24 GTexel / s
Diseño energético térmico (TDP)	250 Watt	225 Watt
Número de transistores	21,100 million	1,870 million
Puertos y salidas de video
Conectores de pantalla	No outputs	No outputs
Compatibilidad, dimensiones y requerimientos
Interfaz	PCIe 3.0 x16	PCIe 3.0 x16
Conectores de energía complementarios	2x 8-pin	1x 8-pin
Longitud		267 mm
Soporte de API
DirectX	12.0 (12_1)	12.0 (11_0)
OpenGL	4.6	4.6
Memoria
Cantidad máxima de RAM	16 GB	8 GB
Ancho de banda de la memoria	897.0 GB / s	83.2 GB / s
Ancho de bus de la memoria	4096 Bit	128 Bit
Velocidad de reloj de memoria	1752 MHz	5200 MHz
Tipo de memoria	HBM2	GDDR5