NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB vs AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile

Análisis comparativo de las tarjetas de video NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB y AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile para todas las características conocidas en las siguientes categorías: Esenciales, Información técnica, Puertos y salidas de video, Compatibilidad, dimensiones y requerimientos, Soporte de API, Memoria. Análisis de desempeño comparativo de tarjetas de video: PassMark - G3D Mark, PassMark - G2D Mark, Geekbench - OpenCL, CompuBench 1.5 Desktop - Face Detection (mPixels/s), CompuBench 1.5 Desktop - Ocean Surface Simulation (Frames/s), CompuBench 1.5 Desktop - T-Rex (Frames/s), CompuBench 1.5 Desktop - Video Composition (Frames/s), CompuBench 1.5 Desktop - Bitcoin Mining (mHash/s), GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Frames), GFXBench 4.0 - Manhattan (Frames), GFXBench 4.0 - T-Rex (Frames), GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Fps), GFXBench 4.0 - Manhattan (Fps), GFXBench 4.0 - T-Rex (Fps).

 

Diferencias

Razones para considerar el NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB

  • La tarjeta de video es más nueva: Fue lanzada al mercado 1 año(s) 0 mes(es) después
  • Velocidad de reloj del núcleo 23% más alta: 1230 MHz vs 1002 MHz
  • Impulso de la velocidad de reloj 31% más alto: 1380 MHz vs 1053 MHz
  • 6.6 veces más la tasa de llenado de textura: 441.6 GTexel / s vs 67.39 GTexel / s
  • 5 veces más pipelines: 5120 vs 1024
  • 6.6 veces mejor desempeño de punto flotante 14,131 gflops vs 2,157 gflops
  • Un proceso de manufactura más nuevo permite la creación de una tarjeta de video más poderosa y con una temperatura más baja: 12 nm vs 14 nm
  • 8 veces más el tamaño máximo de memoria: 32 GB vs 4 GB
  • 5.9 veces mejor desempeño en PassMark - G3D Mark: 8260 vs 1409
  • 7.9 veces mejor desempeño en Geekbench - OpenCL: 163779 vs 20842
Especificaciones
Fecha de lanzamiento 27 March 2018 vs 1 March 2017
Velocidad de reloj del núcleo 1230 MHz vs 1002 MHz
Impulso de la velocidad de reloj 1380 MHz vs 1053 MHz
Tasa de llenado de textura 441.6 GTexel / s vs 67.39 GTexel / s
Pipelines 5120 vs 1024
Desempeño de punto flotante 14,131 gflops vs 2,157 gflops
Tecnología de proceso de manufactura 12 nm vs 14 nm
Tamaño máximo de la memoria 32 GB vs 4 GB
Referencias
PassMark - G3D Mark 8260 vs 1409
Geekbench - OpenCL 163779 vs 20842

Razones para considerar el AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile

  • 5 veces el consumo de energía típico más bajo: 50 Watt vs 250 Watt
  • 4 veces más velocidad de reloj de memoria: 7000 MHz vs 1752 MHz
  • Alrededor de 31% mejor desempeño en PassMark - G2D Mark: 427 vs 327
Especificaciones
Diseño energético térmico (TDP) 50 Watt vs 250 Watt
Velocidad de reloj de memoria 7000 MHz vs 1752 MHz
Referencias
PassMark - G2D Mark 427 vs 327

Comparar referencias

GPU 1: NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB
GPU 2: AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile

PassMark - G3D Mark
GPU 1
GPU 2
8260
1409
PassMark - G2D Mark
GPU 1
GPU 2
327
427
Geekbench - OpenCL
GPU 1
GPU 2
163779
20842
Nombre NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile
PassMark - G3D Mark 8260 1409
PassMark - G2D Mark 327 427
Geekbench - OpenCL 163779 20842
CompuBench 1.5 Desktop - Face Detection (mPixels/s) 592.008
CompuBench 1.5 Desktop - Ocean Surface Simulation (Frames/s) 0
CompuBench 1.5 Desktop - T-Rex (Frames/s) 46.266
CompuBench 1.5 Desktop - Video Composition (Frames/s) 271.318
CompuBench 1.5 Desktop - Bitcoin Mining (mHash/s) 2169.759
GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Frames) 9969
GFXBench 4.0 - Manhattan (Frames) 3521
GFXBench 4.0 - T-Rex (Frames) 3360
GFXBench 4.0 - Car Chase Offscreen (Fps) 9969
GFXBench 4.0 - Manhattan (Fps) 3521
GFXBench 4.0 - T-Rex (Fps) 3360

Comparar especificaciones

NVIDIA Tesla V100 PCIe 32 GB AMD Radeon Pro WX 4170 Mobile

Esenciales

Arquitectura Volta GCN 4.0
Nombre clave GV100 Baffin
Fecha de lanzamiento 27 March 2018 1 March 2017
Lugar en calificación por desempeño 155 432
Tipo Workstation Workstation

Información técnica

Impulso de la velocidad de reloj 1380 MHz 1053 MHz
Velocidad de reloj del núcleo 1230 MHz 1002 MHz
Desempeño de punto flotante 14,131 gflops 2,157 gflops
Tecnología de proceso de manufactura 12 nm 14 nm
Pipelines 5120 1024
Tasa de llenado de textura 441.6 GTexel / s 67.39 GTexel / s
Diseño energético térmico (TDP) 250 Watt 50 Watt
Número de transistores 21,100 million 3,000 million

Puertos y salidas de video

Conectores de pantalla No outputs No outputs

Compatibilidad, dimensiones y requerimientos

Interfaz PCIe 3.0 x16 PCIe 3.0 x8
Conectores de energía complementarios 2x 8-pin

Soporte de API

DirectX 12.0 (12_1) 12.0 (12_0)
OpenGL 4.6 4.5

Memoria

Cantidad máxima de RAM 32 GB 4 GB
Ancho de banda de la memoria 897.0 GB / s 112.0 GB / s
Ancho de bus de la memoria 4096 Bit 128 Bit
Velocidad de reloj de memoria 1752 MHz 7000 MHz
Tipo de memoria HBM2 GDDR5