AMD Ryzen 9 7940H versus AMD Ryzen 7 7745HX

Analyse comparative des processeurs AMD Ryzen 9 7940H et AMD Ryzen 7 7745HX pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Mémoire, Compatibilité, Périphériques. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

 

Différences

Raisons pour considerer le AMD Ryzen 9 7940H

  • Environ 2% vitesse de fonctionnement plus vite: 5.2 GHz versus 5.1 GHz
  • Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 4 nm versus 5 nm
  • Environ 57% consummation d’énergie moyen plus bas: 35 Watt versus 55 Watt
Caractéristiques
Fréquence maximale 5.2 GHz versus 5.1 GHz
Processus de fabrication 4 nm versus 5 nm
Thermal Design Power (TDP) 35 Watt versus 55 Watt
Référence
PassMark - Single thread mark 3956 versus 3948

Raisons pour considerer le AMD Ryzen 7 7745HX

  • Processeur est ouvert; un multiplicateur ouvert soutien le overclocking plus facile
  • 2x plus de la cache L3, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L3 pour l’accès facil plus tard
  • Environ 14% meilleur performance en PassMark - CPU mark: 32724 versus 28660
Caractéristiques
Ouvert Ouvert versus barré
Cache L3 32MB (shared) versus 16MB (shared)
Référence
PassMark - CPU mark 32724 versus 28660

Comparer les références

CPU 1: AMD Ryzen 9 7940H
CPU 2: AMD Ryzen 7 7745HX

PassMark - Single thread mark
CPU 1
CPU 2
3956
3948
PassMark - CPU mark
CPU 1
CPU 2
28660
32724
Nom AMD Ryzen 9 7940H AMD Ryzen 7 7745HX
PassMark - Single thread mark 3956 3948
PassMark - CPU mark 28660 32724

Comparer les caractéristiques

AMD Ryzen 9 7940H AMD Ryzen 7 7745HX

Essentiel

Date de sortie Jan 2023 4 Jan 2023
Position dans l’évaluation de la performance 181 158
Nom de code de l’architecture Zen 4 (Dragon Range)

Performance

Base frequency 4 GHz 3.6 GHz
Taille de dé 178 mm² 71 mm²
Cache L1 64K (per core) 64K (per core)
Cache L2 1MB (per core) 1MB (per core)
Cache L3 16MB (shared) 32MB (shared)
Processus de fabrication 4 nm 5 nm
Température de noyau maximale 100°C 100°C
Fréquence maximale 5.2 GHz 5.1 GHz
Nombre de noyaux 8 8
Nombre de fils 16 16
Compte de transistor 25,000 million 6,570 million
Ouvert

Mémoire

Soutien de la mémoire ECC
Genres de mémoire soutenus DDR5-5600 MHz, Dual-channel DDR5-5200 MHz, Dual-channel

Compatibilité

Configurable TDP 54 Watt 45-75 Watt
Nombre de CPUs maximale dans une configuration 1 1
Prise courants soutenu FP8 FL1
Thermal Design Power (TDP) 35 Watt 55 Watt

Périphériques

PCIe configurations Gen 4, 20 Lanes, (CPU only) Gen 5, 28 Lanes, (CPU only)