Intel Core 2 Duo T5870 versus Intel Core Duo T2300

Analyse comparative des processeurs Intel Core 2 Duo T5870 et Intel Core Duo T2300 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization, Mémoire. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5870

versus

Intel Core Duo T2300

Différences

Raisons pour considerer le Intel Core 2 Duo T5870

CPU est plus nouveau: date de sortie 2 ans 8 mois plus tard
Environ 20% vitesse de fonctionnement plus vite: 2 GHz versus 1.66 GHz
Environ 46% meilleur performance en PassMark - Single thread mark: 744 versus 509
2.2x meilleur performance en PassMark - CPU mark: 705 versus 325

Caractéristiques
Date de sortie	1 October 2008 versus January 2006
Fréquence maximale	2 GHz versus 1.66 GHz
Référence
PassMark - Single thread mark	744 versus 509
PassMark - CPU mark	705 versus 325

Raisons pour considerer le Intel Core Duo T2300

Environ 13% consummation d’énergie moyen plus bas: 31 Watt versus 35 Watt

Thermal Design Power (TDP)	31 Watt versus 35 Watt

Comparer les références

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5870
CPU 2: Intel Core Duo T2300

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

744

509

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

705

325

Nom	Intel Core 2 Duo T5870	Intel Core Duo T2300
PassMark - Single thread mark	744	509
PassMark - CPU mark	705	325
Geekbench 4 - Single Core	250
Geekbench 4 - Multi-Core	429

Comparer les caractéristiques

	Intel Core 2 Duo T5870	Intel Core Duo T2300
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Merom	Yonah
Date de sortie	1 October 2008	January 2006
Position dans l’évaluation de la performance	2971	2977
Processor Number	T5870	T2300
Série	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Core™ Processors
Status	Discontinued	Discontinued
Segment vertical	Mobile	Mobile
Performance
Soutien de 64-bit
Base frequency	2.00 GHz	1.66 GHz
Bus Speed	800 MHz FSB	667 MHz FSB
Taille de dé	143 mm2	90 mm2
Front-side bus (FSB)	800 MHz	667 MHz
Cache L2	2048 KB	2048 KB
Processus de fabrication	65 nm	65 nm
Température de noyau maximale	100°C	100°C
Fréquence maximale	2 GHz	1.66 GHz
Nombre de noyaux	2	2
Nombre de fils	2	2
Compte de transistor	291 million	151 million
Rangée de tension VID	1.075V-1.175V	1.1625V - 1.30V
Compatibilité
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm	35mm x 35mm
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt	31 Watt
Nombre de CPUs maximale dans une configuration		1
Scenario Design Power (SDP)		0 W
Prise courants soutenu		PPGA478, PBGA479
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Idle States
Physical Address Extensions (PAE)		32-bit
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Mémoire
Genres de mémoire soutenus		DDR1