Intel Core 2 Duo T5870 vs Intel Core Duo T2300

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo T5870 и Intel Core Duo T2300 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5870

Intel Core Duo T2300

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5870

Процессор новее, разница в датах выпуска 2 year(s) 8 month(s)
Примерно на 20% больше тактовая частота: 2 GHz vs 1.66 GHz
Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 46% больше: 744 vs 509
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 2.2 раз(а) больше: 705 vs 325

Характеристики
Дата выпуска	1 October 2008 vs January 2006
Максимальная частота	2 GHz vs 1.66 GHz
Бенчмарки
PassMark - Single thread mark	744 vs 509
PassMark - CPU mark	705 vs 325

Причины выбрать Intel Core Duo T2300

Примерно на 13% меньше энергопотребление: 31 Watt vs 35 Watt

Энергопотребление (TDP)	31 Watt vs 35 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5870
CPU 2: Intel Core Duo T2300

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

744

509

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

705

325

Название	Intel Core 2 Duo T5870	Intel Core Duo T2300
PassMark - Single thread mark	744	509
PassMark - CPU mark	705	325
Geekbench 4 - Single Core	250
Geekbench 4 - Multi-Core	429

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Duo T5870	Intel Core Duo T2300
Общая информация
Название архитектуры	Merom	Yonah
Дата выпуска	1 October 2008	January 2006
Место в рейтинге	2971	2977
Processor Number	T5870	T2300
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Core™ Processors
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Mobile	Mobile
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	2.00 GHz	1.66 GHz
Bus Speed	800 MHz FSB	667 MHz FSB
Площадь кристалла	143 mm2	90 mm2
Системная шина (FSB)	800 MHz	667 MHz
Кэш 2-го уровня	2048 KB	2048 KB
Технологический процесс	65 nm	65 nm
Максимальная температура ядра	100°C	100°C
Максимальная частота	2 GHz	1.66 GHz
Количество ядер	2	2
Количество потоков	2	2
Количество транзисторов	291 million	151 million
Допустимое напряжение ядра	1.075V-1.175V	1.1625V - 1.30V
Совместимость
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm	35mm x 35mm
Энергопотребление (TDP)	35 Watt	31 Watt
Максимальное количество процессоров в конфигурации		1
Scenario Design Power (SDP)		0 W
Поддерживаемые сокеты		PPGA478, PBGA479
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Idle States
Physical Address Extensions (PAE)		32-bit
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Память
Поддерживаемые типы памяти		DDR1