Intel Pentium D 965 EE versus Intel Core Duo T2600

Analyse comparative des processeurs Intel Pentium D 965 EE et Intel Core Duo T2600 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Mémoire, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Pentium D 965 EE

versus

Intel Core Duo T2600

Différences

Raisons pour considerer le Intel Pentium D 965 EE

CPU est plus nouveau: date de sortie 1 mois plus tard
Environ 73% vitesse de fonctionnement plus vite: 3.73 GHz versus 2.16 GHz
2x plus de la cache L2, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L2 pour l’accès facil plus tard

Date de sortie	March 2006 versus 5 January 2006
Fréquence maximale	3.73 GHz versus 2.16 GHz
Cache L2	4096 KB versus 2048 KB
Nombre de CPUs maximale dans une configuration	2 versus 1

Raisons pour considerer le Intel Core Duo T2600

Environ 46% température maximale du noyau plus haut: 100°C versus 68.6°C
4.2x consummation d’énergie moyen plus bas: 31 Watt versus 130 Watt

Température de noyau maximale	100°C versus 68.6°C
Thermal Design Power (TDP)	31 Watt versus 130 Watt

Comparer les références

CPU 1: Intel Pentium D 965 EE
CPU 2: Intel Core Duo T2600

Nom	Intel Pentium D 965 EE	Intel Core Duo T2600
PassMark - Single thread mark		667
PassMark - CPU mark		460

Comparer les caractéristiques

	Intel Pentium D 965 EE	Intel Core Duo T2600
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Presler	Yonah
Date de sortie	March 2006	5 January 2006
Position dans l’évaluation de la performance	not rated	2757
Processor Number	965	T2600
Série	Legacy Intel® Pentium® Processor	Legacy Intel® Core™ Processors
Status	Discontinued	Discontinued
Segment vertical	Desktop	Mobile
Prix de sortie (MSRP)		$440
Performance
Soutien de 64-bit
Base frequency	3.73 GHz	2.16 GHz
Bus Speed	1066 MHz FSB	667 MHz FSB
Taille de dé	162 mm2	90 mm2
Cache L1	28 KB
Cache L2	4096 KB	2048 KB
Processus de fabrication	65 nm	65 nm
Température de noyau maximale	68.6°C	100°C
Fréquence maximale	3.73 GHz	2.16 GHz
Nombre de noyaux	2	2
Compte de transistor	376 million	151 million
Rangée de tension VID	1.200V-1.3375V	1.1625V - 1.30V
Front-side bus (FSB)		667 MHz
Nombre de fils		2
Mémoire
Genres de mémoire soutenus	DDR1, DDR2, DDR3	DDR1
Compatibilité
Low Halogen Options Available
Nombre de CPUs maximale dans une configuration	2	1
Package Size	37.5mm x 37.5mm	35mm x 35mm
Prise courants soutenu	PLGA775	PPGA478, PBGA479
Thermal Design Power (TDP)	130 Watt	31 Watt
Scenario Design Power (SDP)		0 W
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Idle States
Intel 64
Intel® AES New Instructions
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Physical Address Extensions (PAE)	32-bit	32-bit
Thermal Monitoring
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)