AMD GX-420MC vs Intel Core 2 Duo T5470

Сравнительный анализ процессоров AMD GX-420MC и Intel Core 2 Duo T5470 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Поддержка графических API, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

AMD GX-420MC

Intel Core 2 Duo T5470

Преимущества

Причины выбрать AMD GX-420MC

На 2 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 4 vs 2
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 28 nm vs 65 nm
Примерно на 94% меньше энергопотребление: 17.5 Watt vs 35 Watt
Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 9% больше: 695 vs 636
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 3 раз(а) больше: 1796 vs 590

Характеристики
Количество ядер	4 vs 2
Технологический процесс	28 nm vs 65 nm
Энергопотребление (TDP)	17.5 Watt vs 35 Watt
Бенчмарки
PassMark - Single thread mark	695 vs 636
PassMark - CPU mark	1796 vs 590

Сравнение бенчмарков

CPU 1: AMD GX-420MC
CPU 2: Intel Core 2 Duo T5470

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

695

636

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

1796

590

Название	AMD GX-420MC	Intel Core 2 Duo T5470
PassMark - Single thread mark	695	636
PassMark - CPU mark	1796	590
Geekbench 4 - Single Core		1096
Geekbench 4 - Multi-Core		1671

Сравнение характеристик

	AMD GX-420MC	Intel Core 2 Duo T5470
Общая информация
Название архитектуры	Puma	Merom
Дата выпуска	6 Jun 2014
Место в рейтинге	2558	2326
Применимость	Embedded	Mobile
Processor Number		T5470
Серия		Legacy Intel® Core™ Processors
Status		Discontinued
Производительность
Base frequency	2.0 GHz	1.60 GHz
Кэш 1-го уровня	256 KB
Кэш 2-го уровня	2 MB
Технологический процесс	28 nm	65 nm
Максимальная частота	2.0 GHz
Количество ядер	4	2
Количество потоков	4
Поддержка 64 bit
Bus Speed		800 MHz FSB
Площадь кристалла		143 mm2
Максимальная температура ядра		100°C
Количество транзисторов		291 million
Допустимое напряжение ядра		1.075V-1.250V
Память
Поддержка ECC-памяти
Максимальное количество каналов памяти	1
Поддерживаемые типы памяти	DDR3-1600
Поддержка графических API
DirectX	11.2
OpenGL	4.3
Совместимость
Поддерживаемые сокеты	FT3b	PPGA478
Энергопотребление (TDP)	17.5 Watt	35 Watt
Low Halogen Options Available
Package Size		35mm x 35mm
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)