Intel Atom S1289 vs Intel Atom Z670
Сравнительный анализ процессоров Intel Atom S1289 и Intel Atom Z670 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Периферийные устройства, Технологии, Виртуализация, Графика, Графические интерфейсы, Безопасность и надежность. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Преимущества
Причины выбрать Intel Atom S1289
- На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
- На 2 потоков больше: 4 vs 2
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 32 nm vs 45 nm
- Максимальный размер памяти больше в 2.7 раз(а): 8 GB vs 2.93 GB
Количество ядер | 2 vs 1 |
Количество потоков | 4 vs 2 |
Технологический процесс | 32 nm vs 45 nm |
Максимальный размер памяти | 8 GB vs 2.93 GB |
Причины выбрать Intel Atom Z670
- В 4.7 раз меньше энергопотребление: 3 Watt vs 14.1 Watt
Энергопотребление (TDP) | 3 Watt vs 14.1 Watt |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Atom S1289
CPU 2: Intel Atom Z670
Название | Intel Atom S1289 | Intel Atom Z670 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 95 | |
PassMark - CPU mark | 158 |
Сравнение характеристик
Intel Atom S1289 | Intel Atom Z670 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Briarwood | Lincroft |
Дата выпуска | Q2'13 | April 2011 |
Место в рейтинге | not rated | 3324 |
Processor Number | S1289 | Z670 |
Серия | Intel® Atom™ Processor S Series | Legacy Intel Atom® Processors |
Status | Launched | Discontinued |
Применимость | Server | Mobile |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 2.00 GHz | 1.50 GHz |
Технологический процесс | 32 nm | 45 nm |
Количество ядер | 2 | 1 |
Количество потоков | 4 | 2 |
Площадь кристалла | 65 mm | |
Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) | |
Кэш 2-го уровня | 512 KB (per core) | |
Максимальная температура ядра | 90 | |
Максимальная частота | 1.5 GHz | |
Количество транзисторов | 140 million | |
Допустимое напряжение ядра | 1.1125-1.5000V | |
Память |
||
Максимальное количество каналов памяти | 1 | 1 |
Максимальный размер памяти | 8 GB | 2.93 GB |
Поддерживаемые типы памяти | DDR3 1333 | DDR2 800 |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Поддерживаемые сокеты | FCBGA1283 | T-PBGA518 |
Энергопотребление (TDP) | 14.1 Watt | 3 Watt |
Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | |
Package Size | 13.8mmx13.8mm | |
Периферийные устройства |
||
Количество линий PCI Express | 40 | |
Ревизия PCI Express | 2.0 | |
Поддержка PCI | ||
UART | ||
Технологии |
||
Intel® AES New Instructions | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Idle States | ||
Расширенные инструкции | Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3 | |
Intel 64 | ||
Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||
Графика |
||
Graphics base frequency | 400 MHz | |
Интегрированная графика | Integrated | |
Графические интерфейсы |
||
LVDS | ||
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) |