Intel Atom Z540 vs Intel Pentium 4-M 1.90
Сравнительный анализ процессоров Intel Atom Z540 и Intel Pentium 4-M 1.90 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Преимущества
Причины выбрать Intel Atom Z540
- Процессор новее, разница в датах выпуска 5 year(s) 10 month(s)
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 130 nm
- Кэш L1 в 8 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
- В 16 раз меньше энергопотребление: 2.4 Watt vs 32 Watt
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 50% больше: 348 vs 232
Характеристики | |
Дата выпуска | April 2008 vs June 2002 |
Технологический процесс | 45 nm vs 130 nm |
Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) vs 8 KB |
Энергопотребление (TDP) | 2.4 Watt vs 32 Watt |
Бенчмарки | |
PassMark - CPU mark | 348 vs 232 |
Причины выбрать Intel Pentium 4-M 1.90
- Примерно на 2% больше тактовая частота: 1.9 GHz vs 1.86 GHz
- Примерно на 11% больше максимальная температура ядра: 100°C vs 90°C
Максимальная частота | 1.9 GHz vs 1.86 GHz |
Максимальная температура ядра | 100°C vs 90°C |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Atom Z540
CPU 2: Intel Pentium 4-M 1.90
PassMark - CPU mark |
|
|
Название | Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 1.90 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 0 | 0 |
PassMark - CPU mark | 348 | 232 |
Сравнение характеристик
Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 1.90 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Silverthorne | Northwood |
Дата выпуска | April 2008 | June 2002 |
Место в рейтинге | 3339 | 3350 |
Processor Number | Z540 | |
Серия | Legacy Intel Atom® Processors | Legacy Intel® Pentium® Processor |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
Base frequency | 1.86 GHz | 1.90 GHz |
Bus Speed | 533 MHz FSB | 400 MHz FSB |
Площадь кристалла | 26 mm2 | 131 mm2 |
Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) | 8 KB |
Кэш 2-го уровня | 512 KB (per core) | 512 KB |
Технологический процесс | 45 nm | 130 nm |
Максимальная температура ядра | 90°C | 100°C |
Максимальная частота | 1.86 GHz | 1.9 GHz |
Количество ядер | 1 | 1 |
Количество транзисторов | 47 million | 55 million |
Допустимое напряжение ядра | 0.75 -1.1V | 1.3V |
Поддержка 64 bit | ||
Максимальная температура корпуса (TCase) | 100 °C | |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | 1 |
Package Size | 13mm x 14mm | 35mm x 35mm |
Scenario Design Power (SDP) | 0.96 W | |
Поддерживаемые сокеты | PBGA441 | PPGA478 |
Энергопотребление (TDP) | 2.4 Watt | 32 Watt |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Расширенные инструкции | Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3 | |
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||
Память |
||
Поддерживаемые типы памяти | DDR1, DDR2 |