Intel Atom Z540 vs Intel Pentium 4-M 1.90
Análisis comparativo de los procesadores Intel Atom Z540 y Intel Pentium 4-M 1.90 para todas las características en las siguientes categorías: Esenciales, Desempeño, Compatibilidad, Seguridad y fiabilidad, Tecnologías avanzadas, Virtualización, Memoria. Análisis de desempeño comparativo de procesadores: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Diferencias
Razones para considerar el Intel Atom Z540
- El CPU es más nuevo: fue lanzado al mercado 5 año(s) 10 mes(es) después
- Un proceso de manufactura más nuevo permite que un procesador sea más poderoso y trabaje a menor temperatura: 45 nm vs 130 nm
- 8 veces más caché L1, más datos pueden ser almacenados en el caché L1 para un acceso más rápido luego
- 16 veces el consumo de energía típico más bajo: 2.4 Watt vs 32 Watt
- Alrededor de 50% mejor desempeño en PassMark - CPU mark: 348 vs 232
Especificaciones | |
Fecha de lanzamiento | April 2008 vs June 2002 |
Tecnología de proceso de manufactura | 45 nm vs 130 nm |
Caché L1 | 64 KB (per core) vs 8 KB |
Diseño energético térmico (TDP) | 2.4 Watt vs 32 Watt |
Referencias | |
PassMark - CPU mark | 348 vs 232 |
Razones para considerar el Intel Pentium 4-M 1.90
- Una velocidad de reloj alrededor de 2% más alta: 1.9 GHz vs 1.86 GHz
- Una temperatura de núcleo máxima 11% mayor: 100°C vs 90°C
Frecuencia máxima | 1.9 GHz vs 1.86 GHz |
Temperatura máxima del núcleo | 100°C vs 90°C |
Comparar referencias
CPU 1: Intel Atom Z540
CPU 2: Intel Pentium 4-M 1.90
PassMark - CPU mark |
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Nombre | Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 1.90 |
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PassMark - Single thread mark | 0 | 0 |
PassMark - CPU mark | 348 | 232 |
Comparar especificaciones
Intel Atom Z540 | Intel Pentium 4-M 1.90 | |
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Esenciales |
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Nombre clave de la arquitectura | Silverthorne | Northwood |
Fecha de lanzamiento | April 2008 | June 2002 |
Lugar en calificación por desempeño | 3339 | 3350 |
Processor Number | Z540 | |
Series | Legacy Intel Atom® Processors | Legacy Intel® Pentium® Processor |
Status | Discontinued | Discontinued |
Segmento vertical | Mobile | Mobile |
Desempeño |
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Base frequency | 1.86 GHz | 1.90 GHz |
Bus Speed | 533 MHz FSB | 400 MHz FSB |
Troquel | 26 mm2 | 131 mm2 |
Caché L1 | 64 KB (per core) | 8 KB |
Caché L2 | 512 KB (per core) | 512 KB |
Tecnología de proceso de manufactura | 45 nm | 130 nm |
Temperatura máxima del núcleo | 90°C | 100°C |
Frecuencia máxima | 1.86 GHz | 1.9 GHz |
Número de núcleos | 1 | 1 |
Número de transistores | 47 million | 55 million |
Rango de voltaje VID | 0.75 -1.1V | 1.3V |
Soporte de 64 bits | ||
Temperatura máxima de la carcasa (TCase) | 100 °C | |
Compatibilidad |
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Low Halogen Options Available | ||
Número máximo de CPUs en la configuración | 1 | 1 |
Package Size | 13mm x 14mm | 35mm x 35mm |
Scenario Design Power (SDP) | 0.96 W | |
Zócalos soportados | PBGA441 | PPGA478 |
Diseño energético térmico (TDP) | 2.4 Watt | 32 Watt |
Seguridad y fiabilidad |
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Execute Disable Bit (EDB) | ||
Tecnología Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Tecnologías avanzadas |
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Tecnología Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Paridad FSB | ||
Idle States | ||
Instruction set extensions | Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3 | |
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Tecnología Intel® Hyper-Threading | ||
Tecnología Intel® Turbo Boost | ||
Thermal Monitoring | ||
Virtualización |
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Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||
Memoria |
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Tipos de memorias soportadas | DDR1, DDR2 |