Intel Atom Z540 vs Intel Pentium 4-M 2.50

Сравнительный анализ процессоров Intel Atom Z540 и Intel Pentium 4-M 2.50 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Atom Z540

Intel Pentium 4-M 2.50

Преимущества

Причины выбрать Intel Atom Z540

Процессор новее, разница в датах выпуска 5 year(s) 0 month(s)
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 130 nm
Кэш L1 в 8 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
В 17.5 раз меньше энергопотребление: 2.4 Watt vs 35 Watt
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 36% больше: 348 vs 256

Характеристики
Дата выпуска	April 2008 vs April 2003
Технологический процесс	45 nm vs 130 nm
Кэш 1-го уровня	64 KB (per core) vs 8 KB
Энергопотребление (TDP)	2.4 Watt vs 35 Watt
Бенчмарки
PassMark - CPU mark	348 vs 256

Причины выбрать Intel Pentium 4-M 2.50

Примерно на 34% больше тактовая частота: 2.5 GHz vs 1.86 GHz
Примерно на 11% больше максимальная температура ядра: 100°C vs 90°C

Максимальная частота	2.5 GHz vs 1.86 GHz
Максимальная температура ядра	100°C vs 90°C

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Atom Z540
CPU 2: Intel Pentium 4-M 2.50

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

348

256

Название	Intel Atom Z540	Intel Pentium 4-M 2.50
PassMark - Single thread mark	0	0
PassMark - CPU mark	348	256

Сравнение характеристик

	Intel Atom Z540	Intel Pentium 4-M 2.50
Общая информация
Название архитектуры	Silverthorne	Northwood
Дата выпуска	April 2008	April 2003
Место в рейтинге	3339	3347
Processor Number	Z540
Серия	Legacy Intel Atom® Processors	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Mobile	Mobile
Производительность
Base frequency	1.86 GHz	2.50 GHz
Bus Speed	533 MHz FSB	400 MHz FSB
Площадь кристалла	26 mm2	131 mm2
Кэш 1-го уровня	64 KB (per core)	8 KB
Кэш 2-го уровня	512 KB (per core)	512 KB
Технологический процесс	45 nm	130 nm
Максимальная температура ядра	90°C	100°C
Максимальная частота	1.86 GHz	2.5 GHz
Количество ядер	1	1
Количество транзисторов	47 million	55 million
Допустимое напряжение ядра	0.75 -1.1V	1.3V
Поддержка 64 bit
Максимальная температура корпуса (TCase)		100 °C
Совместимость
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации	1	1
Package Size	13mm x 14mm	35mm x 35mm
Scenario Design Power (SDP)	0.96 W
Поддерживаемые сокеты	PBGA441	PPGA478
Энергопотребление (TDP)	2.4 Watt	35 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Расширенные инструкции	Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)
Память
Поддерживаемые типы памяти		DDR1, DDR2