Intel Core 2 Duo E6600 vs Intel Core 2 Duo E4700
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo E6600 и Intel Core 2 Duo E4700 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo E6600
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 4% больше: 942 vs 908
- Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Multi-Core примерно на 4% больше: 533 vs 512
Бенчмарки | |
PassMark - CPU mark | 942 vs 908 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 533 vs 512 |
Причины выбрать Intel Core 2 Duo E4700
- Примерно на 22% больше максимальная температура ядра: 73.3°C vs 60.1°C
- Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 5% больше: 990 vs 946
Характеристики | |
Максимальная температура ядра | 73.3°C vs 60.1°C |
Бенчмарки | |
PassMark - Single thread mark | 990 vs 946 |
Geekbench 4 - Single Core | 311 vs 310 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo E6600
CPU 2: Intel Core 2 Duo E4700
PassMark - Single thread mark |
|
|
||||
PassMark - CPU mark |
|
|
||||
Geekbench 4 - Single Core |
|
|
||||
Geekbench 4 - Multi-Core |
|
|
Название | Intel Core 2 Duo E6600 | Intel Core 2 Duo E4700 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 946 | 990 |
PassMark - CPU mark | 942 | 908 |
Geekbench 4 - Single Core | 310 | 311 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 533 | 512 |
Сравнение характеристик
Intel Core 2 Duo E6600 | Intel Core 2 Duo E4700 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Conroe | Conroe |
Дата выпуска | Q3'06 | March 2008 |
Место в рейтинге | 2773 | 2756 |
Processor Number | E6600 | E4700 |
Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel® Core™ Processors |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Desktop | Desktop |
Цена сейчас | $26.99 | |
Соотношение цена/производительность (0-100) | 16.19 | |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 2.40 GHz | 2.60 GHz |
Bus Speed | 1066 MHz FSB | 800 MHz FSB |
Площадь кристалла | 143 mm2 | 111 mm2 |
Технологический процесс | 65 nm | 65 nm |
Максимальная температура ядра | 60.1°C | 73.3°C |
Количество ядер | 2 | 2 |
Количество транзисторов | 291 million | 167 million |
Допустимое напряжение ядра | 0.8500V-1.5V | 0.8500V-1.5V |
Кэш 1-го уровня | 64 KB | |
Кэш 2-го уровня | 2048 KB | |
Максимальная частота | 2.6 GHz | |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 37.5mm x 37.5mm | 37.5mm x 37.5mm |
Scenario Design Power (SDP) | 0 W | |
Поддерживаемые сокеты | PLGA775 | PLGA775 |
Энергопотребление (TDP) | 65 Watt | 65 Watt |
Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® AES New Instructions | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Память |
||
Поддерживаемые типы памяти | DDR1, DDR2, DDR3 |