Intel Core 2 Duo T5450 vs Intel Core 2 Duo SU7300

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo T5450 и Intel Core 2 Duo SU7300 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5450

Intel Core 2 Duo SU7300

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5450

Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Single Core примерно на 15% больше: 203 vs 177
Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Multi-Core примерно на 16% больше: 359 vs 309

Бенчмарки
Geekbench 4 - Single Core	203 vs 177
Geekbench 4 - Multi-Core	359 vs 309

Причины выбрать Intel Core 2 Duo SU7300

Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
В 3.5 раз меньше энергопотребление: 10 Watt vs 35 Watt

Технологический процесс	45 nm vs 65 nm
Энергопотребление (TDP)	10 Watt vs 35 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5450
CPU 2: Intel Core 2 Duo SU7300

Geekbench 4 - Single Core

CPU 1

CPU 2

203

177

Geekbench 4 - Multi-Core

CPU 1

CPU 2

359

309

Название	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Core 2 Duo SU7300
PassMark - Single thread mark	592
PassMark - CPU mark	583
Geekbench 4 - Single Core	203	177
Geekbench 4 - Multi-Core	359	309

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Core 2 Duo SU7300
Общая информация
Название архитектуры	Merom	Penryn
Место в рейтинге	3136	3300
Processor Number	T5450
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Intel Core 2 Duo
Status	Discontinued
Применимость	Mobile	Laptop
Дата выпуска		1 September 2009
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	1.66 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB
Площадь кристалла	143 mm2	107 mm
Технологический процесс	65 nm	45 nm
Максимальная температура ядра	100°C
Количество ядер	2	2
Количество транзисторов	291 million	410 Million
Допустимое напряжение ядра	1.075V-1.250V
Системная шина (FSB)		800 MHz
Кэш 2-го уровня		3 MB
Максимальная частота		1.3 GHz
Количество потоков		2
Совместимость
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm
Поддерживаемые сокеты	PPGA478	BGA956
Энергопотребление (TDP)	35 Watt	10 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)