Intel Core 2 Duo T5450 vs Intel Core 2 Duo SU7300

Vergleichende Analyse von Intel Core 2 Duo T5450 und Intel Core 2 Duo SU7300 Prozessoren für alle bekannten Merkmale in den folgenden Kategorien: Essenzielles, Leistung, Kompatibilität, Sicherheit & Zuverlässigkeit, Fortschrittliche Technologien, Virtualisierung. Benchmark-Prozessorleistungsanalyse: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5450

Intel Core 2 Duo SU7300

Unterschiede

Gründe, die für die Berücksichtigung der Intel Core 2 Duo T5450

Etwa 15% bessere Leistung in Geekbench 4 - Single Core: 203 vs 177
Etwa 16% bessere Leistung in Geekbench 4 - Multi-Core: 359 vs 309

Benchmarks
Geekbench 4 - Single Core	203 vs 177
Geekbench 4 - Multi-Core	359 vs 309

Gründe, die für die Berücksichtigung der Intel Core 2 Duo SU7300

Ein neuerer Herstellungsprozess ermöglicht einen leistungsfähigeren, aber dennoch kühleren laufenden Prozessor: 45 nm vs 65 nm
3.5x geringere typische Leistungsaufnahme: 10 Watt vs 35 Watt

Fertigungsprozesstechnik	45 nm vs 65 nm
Thermische Designleistung (TDP)	10 Watt vs 35 Watt

Benchmarks vergleichen

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5450
CPU 2: Intel Core 2 Duo SU7300

Geekbench 4 - Single Core

CPU 1

CPU 2

203

177

Geekbench 4 - Multi-Core

CPU 1

CPU 2

359

309

Name	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Core 2 Duo SU7300
PassMark - Single thread mark	592
PassMark - CPU mark	583
Geekbench 4 - Single Core	203	177
Geekbench 4 - Multi-Core	359	309

Vergleichen Sie Spezifikationen

	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Core 2 Duo SU7300
Essenzielles
Architektur Codename	Merom	Penryn
Platz in der Leistungsbewertung	3136	3300
Processor Number	T5450
Serie	Legacy Intel® Core™ Processors	Intel Core 2 Duo
Status	Discontinued
Vertikales Segment	Mobile	Laptop
Startdatum		1 September 2009
Leistung
64-Bit-Unterstützung
Base frequency	1.66 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB
Matrizengröße	143 mm2	107 mm
Fertigungsprozesstechnik	65 nm	45 nm
Maximale Kerntemperatur	100°C
Anzahl der Adern	2	2
Anzahl der Transistoren	291 million	410 Million
VID-Spannungsbereich	1.075V-1.250V
Frontseitiger Bus (FSB)		800 MHz
L2 Cache		3 MB
Maximale Frequenz		1.3 GHz
Anzahl der Gewinde		2
Kompatibilität
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm
Unterstützte Sockel	PPGA478	BGA956
Thermische Designleistung (TDP)	35 Watt	10 Watt
Sicherheit & Zuverlässigkeit
Execute Disable Bit (EDB)
Intel® Trusted Execution Technologie (TXT)
Fortschrittliche Technologien
Enhanced Intel SpeedStep® Technologie
FSB-Parität
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Intel® Hyper-Threading Technologie
Intel® Turbo Boost Technologie
Virtualisierung
Intel® Virtualization Technology (VT-x)