AMD Radeon RX 580X Mobile vs NVIDIA Tesla V100 DGXS

Сравнительный анализ видеокарт AMD Radeon RX 580X Mobile и NVIDIA Tesla V100 DGXS по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Технические характеристики, Видеовыходы и порты, Совместимость, размеры, требования, Поддержка API, Память. Анализ производительности видеокарт по бенчмаркам: Geekbench - OpenCL.

AMD Radeon RX 580X Mobile

NVIDIA Tesla V100 DGXS

Преимущества

Причины выбрать AMD Radeon RX 580X Mobile

Частота ядра примерно на 22% больше: 1000 MHz vs 823 MHz
Частота ядра в режиме Boost на 17% больше: 1077 MHz vs 918 MHz
В 2.5 раз меньше энергопотребление: 100 Watt vs 250 Watt
Частота памяти в 4.6 раз(а) больше: 8000 MHz vs 1752 MHz

Частота ядра	1000 MHz vs 823 MHz
Частота ядра в режиме Boost	1077 MHz vs 918 MHz
Энергопотребление (TDP)	100 Watt vs 250 Watt
Частота памяти	8000 MHz vs 1752 MHz

Причины выбрать NVIDIA Tesla V100 DGXS

Скорость текстурирования в 3 раз(а) больше: 463.0 GTexel / s vs 155.1 GTexel / s
Количество шейдерных процессоров в 2.2 раз(а) больше: 5120 vs 2304
Производительность с плавающей точкой в 3 раз(а) больше: 14,817 gflops vs 4,963 gflops
Более новый технологический процесс производства видеокарты позволяет её сделать более мощной, но с меньшим энергопотреблением: 12 nm vs 14 nm
Максимальный размер памяти больше в 4 раз(а): 32 GB vs 8 GB

Скорость текстурирования	463.0 GTexel / s vs 155.1 GTexel / s
Количество шейдерных процессоров	5120 vs 2304
Производительность с плавающей точкой	14,817 gflops vs 4,963 gflops
Технологический процесс	12 nm vs 14 nm
Максимальный размер памяти	32 GB vs 8 GB

Сравнение бенчмарков

GPU 1: AMD Radeon RX 580X Mobile
GPU 2: NVIDIA Tesla V100 DGXS

Название	AMD Radeon RX 580X Mobile	NVIDIA Tesla V100 DGXS
Geekbench - OpenCL		161295

Сравнение характеристик

	AMD Radeon RX 580X Mobile	NVIDIA Tesla V100 DGXS
Общая информация
Архитектура	GCN 4.0	Volta
Кодовое имя	Polaris 20	GV100
Дата выпуска	11 April 2018	27 March 2018
Место в рейтинге	not rated	58
Тип	Laptop	Workstation
Технические характеристики
Частота ядра в режиме Boost	1077 MHz	918 MHz
Частота ядра	1000 MHz	823 MHz
Производительность с плавающей точкой	4,963 gflops	14,817 gflops
Технологический процесс	14 nm	12 nm
Количество шейдерных процессоров	2304	5120
Скорость текстурирования	155.1 GTexel / s	463.0 GTexel / s
Энергопотребление (TDP)	100 Watt	250 Watt
Количество транзисторов	5,700 million	21,100 million
Видеовыходы и порты
Видеоразъёмы	No outputs	No outputs
Совместимость, размеры, требования
Интерфейс	MXM-B (3.0)	PCIe 3.0 x16
Дополнительные разъемы питания		None
Поддержка API
DirectX	12.0 (12_0)	12.0 (12_1)
OpenGL	4.5	4.6
Память
Максимальный размер памяти	8 GB	32 GB
Пропускная способность памяти	256.0 GB / s	897.0 GB / s
Ширина шины памяти	256 Bit	4096 Bit
Частота памяти	8000 MHz	1752 MHz
Тип памяти	GDDR5	HBM2