AMD Radeon RX 580X Mobile vs NVIDIA Tesla V100 DGXS

Análisis comparativo de las tarjetas de video AMD Radeon RX 580X Mobile y NVIDIA Tesla V100 DGXS para todas las características conocidas en las siguientes categorías: Esenciales, Información técnica, Puertos y salidas de video, Compatibilidad, dimensiones y requerimientos, Soporte de API, Memoria.

AMD Radeon RX 580X Mobile

NVIDIA Tesla V100 DGXS

Diferencias

Razones para considerar el AMD Radeon RX 580X Mobile

Velocidad de reloj del núcleo 22% más alta: 1000 MHz vs 823 MHz
Impulso de la velocidad de reloj 17% más alto: 1077 MHz vs 918 MHz
2.5 veces el consumo de energía típico más bajo: 100 Watt vs 250 Watt
4.6 veces más velocidad de reloj de memoria: 8000 MHz vs 1752 MHz

Velocidad de reloj del núcleo	1000 MHz vs 823 MHz
Impulso de la velocidad de reloj	1077 MHz vs 918 MHz
Diseño energético térmico (TDP)	100 Watt vs 250 Watt
Velocidad de reloj de memoria	8000 MHz vs 1752 MHz

Razones para considerar el NVIDIA Tesla V100 DGXS

3 veces más la tasa de llenado de textura: 463.0 GTexel / s vs 155.1 GTexel / s
2.2 veces más pipelines: 5120 vs 2304
3 veces mejor desempeño de punto flotante 14,817 gflops vs 4,963 gflops
Un proceso de manufactura más nuevo permite la creación de una tarjeta de video más poderosa y con una temperatura más baja: 12 nm vs 14 nm
4 veces más el tamaño máximo de memoria: 32 GB vs 8 GB

Tasa de llenado de textura	463.0 GTexel / s vs 155.1 GTexel / s
Pipelines	5120 vs 2304
Desempeño de punto flotante	14,817 gflops vs 4,963 gflops
Tecnología de proceso de manufactura	12 nm vs 14 nm
Tamaño máximo de la memoria	32 GB vs 8 GB

Comparar especificaciones

	AMD Radeon RX 580X Mobile	NVIDIA Tesla V100 DGXS
Esenciales
Arquitectura	GCN 4.0	Volta
Nombre clave	Polaris 20	GV100
Fecha de lanzamiento	11 April 2018	27 March 2018
Lugar en calificación por desempeño	not rated	not rated
Tipo	Laptop	Workstation
Información técnica
Impulso de la velocidad de reloj	1077 MHz	918 MHz
Velocidad de reloj del núcleo	1000 MHz	823 MHz
Desempeño de punto flotante	4,963 gflops	14,817 gflops
Tecnología de proceso de manufactura	14 nm	12 nm
Pipelines	2304	5120
Tasa de llenado de textura	155.1 GTexel / s	463.0 GTexel / s
Diseño energético térmico (TDP)	100 Watt	250 Watt
Número de transistores	5,700 million	21,100 million
Puertos y salidas de video
Conectores de pantalla	No outputs	No outputs
Compatibilidad, dimensiones y requerimientos
Interfaz	MXM-B (3.0)	PCIe 3.0 x16
Conectores de energía complementarios		None
Soporte de API
DirectX	12.0 (12_0)	12.0 (12_1)
OpenGL	4.5	4.6
Memoria
Cantidad máxima de RAM	8 GB	32 GB
Ancho de banda de la memoria	256.0 GB / s	897.0 GB / s
Ancho de bus de la memoria	256 Bit	4096 Bit
Velocidad de reloj de memoria	8000 MHz	1752 MHz
Tipo de memoria	GDDR5	HBM2