Intel Core 2 Duo T5450 vs Intel Celeron 807UE

Vergleichende Analyse von Intel Core 2 Duo T5450 und Intel Celeron 807UE Prozessoren für alle bekannten Merkmale in den folgenden Kategorien: Essenzielles, Leistung, Kompatibilität, Sicherheit & Zuverlässigkeit, Fortschrittliche Technologien, Virtualisierung, Speicher, Grafik. Benchmark-Prozessorleistungsanalyse: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

 

Unterschiede

Gründe, die für die Berücksichtigung der Intel Core 2 Duo T5450

  • 1 mehr Kerne, mehr Anwendungen auf einmal ausführen: 2 vs 1
  • Etwa 41% bessere Leistung in PassMark - Single thread mark: 592 vs 421
  • 2.4x bessere Leistung in PassMark - CPU mark: 583 vs 241
Spezifikationen
Anzahl der Adern 2 vs 1
Benchmarks
PassMark - Single thread mark 592 vs 421
PassMark - CPU mark 583 vs 241

Gründe, die für die Berücksichtigung der Intel Celeron 807UE

  • Ein neuerer Herstellungsprozess ermöglicht einen leistungsfähigeren, aber dennoch kühleren laufenden Prozessor: 32 nm vs 65 nm
  • 3.5x geringere typische Leistungsaufnahme: 10 Watt vs 35 Watt
Fertigungsprozesstechnik 32 nm vs 65 nm
Thermische Designleistung (TDP) 10 Watt vs 35 Watt

Benchmarks vergleichen

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5450
CPU 2: Intel Celeron 807UE

PassMark - Single thread mark
CPU 1
CPU 2
592
421
PassMark - CPU mark
CPU 1
CPU 2
583
241
Name Intel Core 2 Duo T5450 Intel Celeron 807UE
PassMark - Single thread mark 592 421
PassMark - CPU mark 583 241
Geekbench 4 - Single Core 203
Geekbench 4 - Multi-Core 359

Vergleichen Sie Spezifikationen

Intel Core 2 Duo T5450 Intel Celeron 807UE

Essenzielles

Architektur Codename Merom Sandy Bridge
Platz in der Leistungsbewertung 3114 3115
Processor Number T5450 807UE
Serie Legacy Intel® Core™ Processors Legacy Intel® Celeron® Processor
Status Discontinued Launched
Vertikales Segment Mobile Embedded
Startdatum Q4'11

Leistung

64-Bit-Unterstützung
Base frequency 1.66 GHz 1.00 GHz
Bus Speed 667 MHz FSB
Matrizengröße 143 mm2
Fertigungsprozesstechnik 65 nm 32 nm
Maximale Kerntemperatur 100°C 100°C
Anzahl der Adern 2 1
Anzahl der Transistoren 291 million
VID-Spannungsbereich 1.075V-1.250V
Anzahl der Gewinde 1

Kompatibilität

Low Halogen Options Available
Package Size 35mm x 35mm 31mm x 24mm (FCBGA1023)
Unterstützte Sockel PPGA478 FCBGA1023
Thermische Designleistung (TDP) 35 Watt 10 Watt

Sicherheit & Zuverlässigkeit

Execute Disable Bit (EDB)
Intel® Trusted Execution Technologie (TXT)
Anti-Theft Technologie

Fortschrittliche Technologien

Enhanced Intel SpeedStep® Technologie
FSB-Parität
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Intel® Hyper-Threading Technologie
Intel® Turbo Boost Technologie
4G WiMAX Wireless
Idle States
Intel® AES New Instructions
Intel® Fast Memory Access
Intel® Flex Memory Access
Intel® My WiFi Technologie
Intel® vPro™ Platform Eligibility
Thermal Monitoring

Virtualisierung

Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)

Speicher

Maximale Speicherkanäle 1
Maximale Speichergröße 4.88 GB
Unterstützte Speichertypen DDR3 1066/1333

Grafik

Graphics base frequency 350 MHz
Graphics max dynamic frequency 800 MHz
Intel® Clear Video HD Technologie
Intel® InTru™ 3D-Technologie
Intel® Quick Sync Video
Prozessorgrafiken Intel HD Graphics