Intel Core 2 Duo T5450 vs Intel Celeron 807UE

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo T5450 и Intel Celeron 807UE по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память, Графика. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5450

Intel Celeron 807UE

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5450

На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 41% больше: 592 vs 421
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 2.4 раз(а) больше: 583 vs 241

Характеристики
Количество ядер	2 vs 1
Бенчмарки
PassMark - Single thread mark	592 vs 421
PassMark - CPU mark	583 vs 241

Причины выбрать Intel Celeron 807UE

Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 32 nm vs 65 nm
В 3.5 раз меньше энергопотребление: 10 Watt vs 35 Watt

Технологический процесс	32 nm vs 65 nm
Энергопотребление (TDP)	10 Watt vs 35 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5450
CPU 2: Intel Celeron 807UE

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

592

421

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

583

241

Название	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Celeron 807UE
PassMark - Single thread mark	592	421
PassMark - CPU mark	583	241
Geekbench 4 - Single Core	203
Geekbench 4 - Multi-Core	359

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Celeron 807UE
Общая информация
Название архитектуры	Merom	Sandy Bridge
Место в рейтинге	3114	3115
Processor Number	T5450	807UE
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Celeron® Processor
Status	Discontinued	Launched
Применимость	Mobile	Embedded
Дата выпуска		Q4'11
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	1.66 GHz	1.00 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB
Площадь кристалла	143 mm2
Технологический процесс	65 nm	32 nm
Максимальная температура ядра	100°C	100°C
Количество ядер	2	1
Количество транзисторов	291 million
Допустимое напряжение ядра	1.075V-1.250V
Количество потоков		1
Совместимость
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm	31mm x 24mm (FCBGA1023)
Поддерживаемые сокеты	PPGA478	FCBGA1023
Энергопотребление (TDP)	35 Watt	10 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технология Anti-Theft
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
4G WiMAX Wireless
Idle States
Intel® AES New Instructions
Intel® Fast Memory Access
Intel® Flex Memory Access
Технология Intel® My WiFi
Intel® vPro™ Platform Eligibility
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)
Память
Максимальное количество каналов памяти		1
Максимальный размер памяти		4.88 GB
Поддерживаемые типы памяти		DDR3 1066/1333
Графика
Graphics base frequency		350 MHz
Graphics max dynamic frequency		800 MHz
Технология Intel® Clear Video HD
Технология Intel® InTru™ 3D
Intel® Quick Sync Video
Интегрированная графика		Intel HD Graphics