Intel Atom C2750 vs Intel Pentium D 840 EE

Сравнительный анализ процессоров Intel Atom C2750 и Intel Pentium D 840 EE по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Периферийные устройства, Технологии, Виртуализация, Безопасность и надежность. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Atom C2750

Intel Pentium D 840 EE

Преимущества

Причины выбрать Intel Atom C2750

На 6 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 8 vs 2
Примерно на 39% больше максимальная температура ядра: 97°C vs 69.8°C
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 22 nm vs 90 nm
В 6.5 раз меньше энергопотребление: 20 Watt vs 130 Watt

Количество ядер	8 vs 2
Максимальная температура ядра	97°C vs 69.8°C
Технологический процесс	22 nm vs 90 nm
Энергопотребление (TDP)	20 Watt vs 130 Watt

Причины выбрать Intel Pentium D 840 EE

Примерно на 23% больше тактовая частота: 3.2 GHz vs 2.60 GHz

Максимальная частота	3.2 GHz vs 2.60 GHz

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Atom C2750
CPU 2: Intel Pentium D 840 EE

Название	Intel Atom C2750	Intel Pentium D 840 EE
PassMark - Single thread mark	693
PassMark - CPU mark	2787
Geekbench 4 - Single Core	215
Geekbench 4 - Multi-Core	1458

Сравнение характеристик

	Intel Atom C2750	Intel Pentium D 840 EE
Общая информация
Название архитектуры	Avoton	Smithfield
Дата выпуска	Q3'13	May 2005
Место в рейтинге	2883	not rated
Processor Number	C2750	840
Серия	Intel® Atom™ Processor C Series	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Launched	Discontinued
Применимость	Server	Desktop
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	2.40 GHz	3.20 GHz
Технологический процесс	22 nm	90 nm
Максимальная температура ядра	97°C	69.8°C
Максимальная частота	2.60 GHz	3.2 GHz
Количество ядер	8	2
Количество потоков	8
Bus Speed		800 MHz FSB
Площадь кристалла		206 mm2
Кэш 1-го уровня		28 KB
Кэш 2-го уровня		2048 KB
Количество транзисторов		230 million
Допустимое напряжение ядра		1.200-1.400V
Память
Максимальное количество каналов памяти	2
Максимальная пропускная способность памяти	25.6 GB/s
Максимальный размер памяти	64 GB
Поддерживаемые типы памяти	DDR3/DDR3L 1600	DDR1, DDR2, DDR3
Совместимость
Low Halogen Options Available
Package Size	34 mm x 28 mm	37.5mm x 37.5mm
Поддерживаемые сокеты	FCBGA1283	PLGA775
Энергопотребление (TDP)	20 Watt	130 Watt
Максимальное количество процессоров в конфигурации		2
Периферийные устройства
Встроенная LAN
Количество линий PCI Express	16
Максимальное количество портов SATA 6 Gb/s	2
Количество USB-портов	4
Ревизия PCI Express	2
PCIe configurations	x1,x2,x4,x8,x16
Общее количество SATA-портов	6
UART
Ревизия USB	2
Технологии
Intel® AES New Instructions
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Physical Address Extensions (PAE)	36-bit	32-bit
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® VT-x with Extended Page Tables (EPT)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)