Intel Atom E660 vs Intel Core 2 Duo SU7300
Сравнительный анализ процессоров Intel Atom E660 и Intel Core 2 Duo SU7300 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Графика, Совместимость, Периферийные устройства, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Atom E660
- Процессор новее, разница в датах выпуска 1 year(s) 0 month(s)
- В 2.5 раз меньше энергопотребление: 3.6 Watt vs 10 Watt
| Дата выпуска | September 2010 vs 1 September 2009 |
| Энергопотребление (TDP) | 3.6 Watt vs 10 Watt |
Причины выбрать Intel Core 2 Duo SU7300
- На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
- Кэш L2 в 6 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
| Количество ядер | 2 vs 1 |
| Кэш 2-го уровня | 3 MB vs 512 KB (per core) |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Atom E660
CPU 2: Intel Core 2 Duo SU7300
| Название | Intel Atom E660 | Intel Core 2 Duo SU7300 |
|---|---|---|
| PassMark - Single thread mark | 0 | |
| PassMark - CPU mark | 271 | |
| Geekbench 4 - Single Core | 177 | |
| Geekbench 4 - Multi-Core | 309 |
Сравнение характеристик
| Intel Atom E660 | Intel Core 2 Duo SU7300 | |
|---|---|---|
Общая информация |
||
| Название архитектуры | Tunnel Creek | Penryn |
| Дата выпуска | September 2010 | 1 September 2009 |
| Цена на дату первого выпуска | $54 | |
| Место в рейтинге | 3340 | 3300 |
| Цена сейчас | $54 | |
| Номер процессора | E660 | |
| Серия | Legacy Intel Atom® Processors | Intel Core 2 Duo |
| Статус | Launched | |
| Соотношение цена/производительность (0-100) | 1.48 | |
| Применимость | Embedded | Laptop |
Производительность |
||
| Базовая частота | 1.30 GHz | |
| Bus Speed | 2500 MHz PCIE | |
| Площадь кристалла | 26 mm | 107 mm |
| Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) | |
| Кэш 2-го уровня | 512 KB (per core) | 3 MB |
| Технологический процесс | 45 nm | 45 nm |
| Максимальная температура ядра | 90°C | |
| Максимальная частота | 1.3 GHz | 1.3 GHz |
| Количество ядер | 1 | 2 |
| Количество потоков | 2 | 2 |
| Количество транзисторов | 47 million | 410 Million |
| Допустимое напряжение ядра | VCC (0.75 - 0.9V), VNN (0.75 - 1.1V) | |
| Поддержка 64 bit | ||
| Системная шина (FSB) | 800 MHz | |
Память |
||
| Максимальное количество каналов памяти | 1 | |
| Максимальный размер памяти | 2 GB | |
| Поддерживаемые типы памяти | DDR2 800 | |
Графика |
||
| Graphics base frequency | 400 MHz | |
| Интегрированная графика | Integrated | |
Совместимость |
||
| Low Halogen Options Available | ||
| Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | |
| Размер корпуса | 22mmx22mm | |
| Поддерживаемые сокеты | FCBGA676 | BGA956 |
| Энергопотребление (TDP) | 3.6 Watt | 10 Watt |
Периферийные устройства |
||
| Количество линий PCI Express | 4 | |
| Ревизия PCI Express | 1.0a | |
| PCIe configurations | x1, root complex only | |
Безопасность и надежность |
||
| Execute Disable Bit (EDB) | ||
| Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
| Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
| Чётность FSB | ||
| Idle States | ||
| Intel 64 | ||
| Intel® Demand Based Switching | ||
| Технология Intel® Hyper-Threading | ||
| Технология Intel® Turbo Boost | ||
| Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
| Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
| Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||