Intel Core 2 Duo L7300 vs Intel Pentium Dual Core T4200
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo L7300 и Intel Pentium Dual Core T4200 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo L7300
- В 2.1 раз меньше энергопотребление: 17 Watt vs 35 Watt
| Энергопотребление (TDP) | 17 Watt vs 35 Watt |
Причины выбрать Intel Pentium Dual Core T4200
- Примерно на 5% больше максимальная температура ядра: 105°C vs 100°C
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
- Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 50% больше: 824 vs 551
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 45% больше: 775 vs 536
| Характеристики | |
| Максимальная температура ядра | 105°C vs 100°C |
| Технологический процесс | 45 nm vs 65 nm |
| Бенчмарки | |
| PassMark - Single thread mark | 824 vs 551 |
| PassMark - CPU mark | 775 vs 536 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo L7300
CPU 2: Intel Pentium Dual Core T4200
| PassMark - Single thread mark |
|
|
||||
| PassMark - CPU mark |
|
|
| Название | Intel Core 2 Duo L7300 | Intel Pentium Dual Core T4200 |
|---|---|---|
| PassMark - Single thread mark | 551 | 824 |
| PassMark - CPU mark | 536 | 775 |
| Geekbench 4 - Single Core | 244 | |
| Geekbench 4 - Multi-Core | 427 |
Сравнение характеристик
| Intel Core 2 Duo L7300 | Intel Pentium Dual Core T4200 | |
|---|---|---|
Общая информация |
||
| Название архитектуры | Merom | Penryn |
| Дата выпуска | Q2'07 | 1 January 2009 |
| Место в рейтинге | 2917 | 2923 |
| Номер процессора | L7300 | T4200 |
| Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel® Pentium® Processor |
| Статус | Discontinued | Discontinued |
| Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
| Поддержка 64 bit | ||
| Базовая частота | 1.40 GHz | 2.00 GHz |
| Bus Speed | 800 MHz FSB | 800 MHz FSB |
| Площадь кристалла | 143 mm2 | 107 mm2 |
| Технологический процесс | 65 nm | 45 nm |
| Максимальная температура ядра | 100°C | 105°C |
| Количество ядер | 2 | 2 |
| Количество транзисторов | 291 million | 410 million |
| Допустимое напряжение ядра | 0.975V-1.062V | |
| Системная шина (FSB) | 800 MHz | |
| Кэш 1-го уровня | 128 KB | |
| Кэш 2-го уровня | 1024 KB | |
| Максимальная частота | 2 GHz | |
| Количество потоков | 2 | |
Совместимость |
||
| Low Halogen Options Available | ||
| Размер корпуса | 35mm x 35mm | 35mm x 35mm |
| Поддерживаемые сокеты | PBGA479 | PGA478 |
| Энергопотребление (TDP) | 17 Watt | 35 Watt |
Безопасность и надежность |
||
| Execute Disable Bit (EDB) | ||
| Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
| Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
| Чётность FSB | ||
| Idle States | ||
| Intel 64 | ||
| Intel® Demand Based Switching | ||
| Технология Intel® Hyper-Threading | ||
| Технология Intel® Turbo Boost | ||
| Технология Intel® Active Management (AMT) | ||
Виртуализация |
||
| Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
