Intel Core 2 Duo L7300 vs Intel Pentium Dual Core T4200
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo L7300 и Intel Pentium Dual Core T4200 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo L7300
- В 2.1 раз меньше энергопотребление: 17 Watt vs 35 Watt
Энергопотребление (TDP) | 17 Watt vs 35 Watt |
Причины выбрать Intel Pentium Dual Core T4200
- Примерно на 5% больше максимальная температура ядра: 105°C vs 100°C
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
- Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 50% больше: 824 vs 551
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 45% больше: 775 vs 536
Характеристики | |
Максимальная температура ядра | 105°C vs 100°C |
Технологический процесс | 45 nm vs 65 nm |
Бенчмарки | |
PassMark - Single thread mark | 824 vs 551 |
PassMark - CPU mark | 775 vs 536 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo L7300
CPU 2: Intel Pentium Dual Core T4200
PassMark - Single thread mark |
|
|
||||
PassMark - CPU mark |
|
|
Название | Intel Core 2 Duo L7300 | Intel Pentium Dual Core T4200 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 551 | 824 |
PassMark - CPU mark | 536 | 775 |
Geekbench 4 - Single Core | 244 | |
Geekbench 4 - Multi-Core | 427 |
Сравнение характеристик
Intel Core 2 Duo L7300 | Intel Pentium Dual Core T4200 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Merom | Penryn |
Дата выпуска | Q2'07 | 1 January 2009 |
Место в рейтинге | 2906 | 2913 |
Processor Number | L7300 | T4200 |
Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel® Pentium® Processor |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 1.40 GHz | 2.00 GHz |
Bus Speed | 800 MHz FSB | 800 MHz FSB |
Площадь кристалла | 143 mm2 | 107 mm2 |
Технологический процесс | 65 nm | 45 nm |
Максимальная температура ядра | 100°C | 105°C |
Количество ядер | 2 | 2 |
Количество транзисторов | 291 million | 410 million |
Допустимое напряжение ядра | 0.975V-1.062V | |
Системная шина (FSB) | 800 MHz | |
Кэш 1-го уровня | 128 KB | |
Кэш 2-го уровня | 1024 KB | |
Максимальная частота | 2 GHz | |
Количество потоков | 2 | |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 35mm x 35mm | 35mm x 35mm |
Поддерживаемые сокеты | PBGA479 | PGA478 |
Энергопотребление (TDP) | 17 Watt | 35 Watt |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Технология Intel® Active Management (AMT) | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) |