Intel Core 2 Duo L7500 vs Intel Core 2 Duo T5550
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo L7500 и Intel Core 2 Duo T5550 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo L7500
- В 2.1 раз меньше энергопотребление: 17 Watt vs 35 Watt
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark примерно на 2% больше: 657 vs 647
Характеристики | |
Энергопотребление (TDP) | 17 Watt vs 35 Watt |
Бенчмарки | |
PassMark - CPU mark | 657 vs 647 |
Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5550
- Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 3% больше: 684 vs 664
- Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Single Core примерно на 7% больше: 243 vs 228
- Производительность в бенчмарке Geekbench 4 - Multi-Core примерно на 7% больше: 411 vs 383
Бенчмарки | |
PassMark - Single thread mark | 684 vs 664 |
Geekbench 4 - Single Core | 243 vs 228 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 411 vs 383 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo L7500
CPU 2: Intel Core 2 Duo T5550
PassMark - Single thread mark |
|
|
||||
PassMark - CPU mark |
|
|
||||
Geekbench 4 - Single Core |
|
|
||||
Geekbench 4 - Multi-Core |
|
|
Название | Intel Core 2 Duo L7500 | Intel Core 2 Duo T5550 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 664 | 684 |
PassMark - CPU mark | 657 | 647 |
Geekbench 4 - Single Core | 228 | 243 |
Geekbench 4 - Multi-Core | 383 | 411 |
Сравнение характеристик
Intel Core 2 Duo L7500 | Intel Core 2 Duo T5550 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Merom | Merom |
Дата выпуска | Q3'06 | 1 January 2008 |
Место в рейтинге | 3045 | 3041 |
Processor Number | L7500 | T5550 |
Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel® Core™ Processors |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 1.60 GHz | 1.83 GHz |
Bus Speed | 800 MHz FSB | 667 MHz FSB |
Площадь кристалла | 143 mm2 | 143 mm2 |
Технологический процесс | 65 nm | 65 nm |
Максимальная температура ядра | 100°C | 100°C |
Количество ядер | 2 | 2 |
Количество транзисторов | 291 million | 291 million |
Допустимое напряжение ядра | 0.975V - 1.062V | 1.075V-1.250V |
Системная шина (FSB) | 667 MHz | |
Кэш 2-го уровня | 2048 KB | |
Максимальная частота | 1.83 GHz | |
Количество потоков | 2 | |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 35mm x 35mm | 35mm x 35mm |
Поддерживаемые сокеты | PBGA479 | PPGA478 |
Энергопотребление (TDP) | 17 Watt | 35 Watt |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) |