Intel Core 2 Duo T5450 vs Intel Pentium 4-M 1.70

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo T5450 и Intel Pentium 4-M 1.70 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core 2 Duo T5450

Intel Pentium 4-M 1.70

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5450

На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 65 nm vs 130 nm
Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 39% больше: 592 vs 426
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 3.4 раз(а) больше: 583 vs 173

Характеристики
Количество ядер	2 vs 1
Технологический процесс	65 nm vs 130 nm
Бенчмарки
PassMark - Single thread mark	592 vs 426
PassMark - CPU mark	583 vs 173

Причины выбрать Intel Pentium 4-M 1.70

Примерно на 17% меньше энергопотребление: 30 Watt vs 35 Watt

Энергопотребление (TDP)	30 Watt vs 35 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Duo T5450
CPU 2: Intel Pentium 4-M 1.70

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

592

426

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

583

173

Название	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Pentium 4-M 1.70
PassMark - Single thread mark	592	426
PassMark - CPU mark	583	173
Geekbench 4 - Single Core	203
Geekbench 4 - Multi-Core	359

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Duo T5450	Intel Pentium 4-M 1.70
Общая информация
Название архитектуры	Merom	Northwood
Место в рейтинге	3125	3124
Processor Number	T5450
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Mobile	Mobile
Дата выпуска		March 2002
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	1.66 GHz	1.70 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB	400 MHz FSB
Площадь кристалла	143 mm2	131 mm2
Технологический процесс	65 nm	130 nm
Максимальная температура ядра	100°C	100°C
Количество ядер	2	1
Количество транзисторов	291 million	55 million
Допустимое напряжение ядра	1.075V-1.250V	1.3V
Кэш 1-го уровня		8 KB
Кэш 2-го уровня		512 KB
Максимальная температура корпуса (TCase)		100 °C
Максимальная частота		1.7 GHz
Совместимость
Low Halogen Options Available
Package Size	35mm x 35mm	35mm x 35mm
Поддерживаемые сокеты	PPGA478	PPGA478
Энергопотребление (TDP)	35 Watt	30 Watt
Максимальное количество процессоров в конфигурации		1
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Idle States
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Память
Поддерживаемые типы памяти		DDR1, DDR2