Intel Celeron Dual-Core T3000 versus Intel Celeron M 560

Analyse comparative des processeurs Intel Celeron Dual-Core T3000 et Intel Celeron M 560 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Celeron Dual-Core T3000

versus

Intel Celeron M 560

Différences

Raisons pour considerer le Intel Celeron Dual-Core T3000

CPU est plus nouveau: date de sortie 1 ans 0 mois plus tard
1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
1 plus de fils: 2 versus 1
Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 45 nm versus 65 nm

Date de sortie	1 May 2009 versus 1 May 2008
Nombre de noyaux	2 versus 1
Nombre de fils	2 versus 1
Processus de fabrication	45 nm versus 65 nm

Raisons pour considerer le Intel Celeron M 560

Environ 18% vitesse de fonctionnement plus vite: 2.13 GHz versus 1.8 GHz
Environ 13% consummation d’énergie moyen plus bas: 31 Watt versus 35 Watt

Fréquence maximale	2.13 GHz versus 1.8 GHz
Thermal Design Power (TDP)	31 Watt versus 35 Watt

Comparer les références

CPU 1: Intel Celeron Dual-Core T3000
CPU 2: Intel Celeron M 560

Nom	Intel Celeron Dual-Core T3000	Intel Celeron M 560
PassMark - Single thread mark	728
PassMark - CPU mark	1084
Geekbench 4 - Single Core	219
Geekbench 4 - Multi-Core	377

Comparer les caractéristiques

	Intel Celeron Dual-Core T3000	Intel Celeron M 560
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Penryn-1M	Merom
Date de sortie	1 May 2009	1 May 2008
Position dans l’évaluation de la performance	3018	not rated
Série	Intel Celeron Dual-Core	Legacy Intel® Celeron® Processor
Segment vertical	Laptop	Mobile
Numéro du processeur		560
Statut		Discontinued
Performance
Soutien de 64-bit
Taille de dé	107 mm	143 mm2
Front-side bus (FSB)	800 MHz	533 MHz
Cache L1	64 KB	64 KB
Cache L2	1024 KB	1024 KB
Processus de fabrication	45 nm	65 nm
Fréquence maximale	1.8 GHz	2.13 GHz
Nombre de noyaux	2	1
Nombre de fils	2	1
Compte de transistor	410 Million	291 million
Fréquence de base		2.13 GHz
Bus Speed		533 MHz FSB
Température de noyau maximale		100°C
Rangée de tension VID		0.95V-1.30V
Compatibilité
Prise courants soutenu	P (478)	PPGA478
Thermal Design Power (TDP)	35 Watt	31 Watt
Low Halogen Options Available
Dimensions du boîtier		35mm x 35mm
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)