AMD Opteron 2350 HE vs Intel Pentium III 1400S

Сравнительный анализ процессоров AMD Opteron 2350 HE и Intel Pentium III 1400S по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

AMD Opteron 2350 HE

Intel Pentium III 1400S

Преимущества

Причины выбрать AMD Opteron 2350 HE

Процессор новее, разница в датах выпуска 6 year(s) 9 month(s)
На 3 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 4 vs 1
Примерно на 43% больше тактовая частота: 2 GHz vs 1.4 GHz
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 65 nm vs 130 nm
Кэш L1 в 32 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Кэш L2 в 4 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 14.5 раз(а) больше: 2820 vs 194

Характеристики
Дата выпуска	October 2008 vs January 2002
Количество ядер	4 vs 1
Максимальная частота	2 GHz vs 1.4 GHz
Технологический процесс	65 nm vs 130 nm
Кэш 1-го уровня	256 KB (shared) vs 8 KB
Кэш 2-го уровня	2048 KB (shared) vs 512 KB
Бенчмарки
PassMark - CPU mark	2820 vs 194

Причины выбрать Intel Pentium III 1400S

В 2.5 раз меньше энергопотребление: 32.2 Watt vs 79 Watt

Энергопотребление (TDP)	32.2 Watt vs 79 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: AMD Opteron 2350 HE
CPU 2: Intel Pentium III 1400S

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

2820

194

Название	AMD Opteron 2350 HE	Intel Pentium III 1400S
PassMark - Single thread mark	0	278
PassMark - CPU mark	2820	194

Сравнение характеристик

	AMD Opteron 2350 HE	Intel Pentium III 1400S
Общая информация
Название архитектуры	Barcelona	Tualatin
Дата выпуска	October 2008	January 2002
Место в рейтинге	3328	3267
Применимость	Server	Server
Серия		Legacy Intel® Pentium® Processor
Статус		Discontinued
Производительность
Поддержка 64 bit
Площадь кристалла	285 mm	80 mm
Кэш 1-го уровня	256 KB (shared)	8 KB
Кэш 2-го уровня	2048 KB (shared)	512 KB
Кэш 3-го уровня	2048 KB
Технологический процесс	65 nm	130 nm
Максимальная температура корпуса (TCase)	76 °C	69 °C
Максимальная частота	2 GHz	1.4 GHz
Количество ядер	4	1
Количество транзисторов	463 million	44 million
Базовая частота		1.40 GHz
Bus Speed		133 MHz FSB
Максимальная температура ядра		69°C
Допустимое напряжение ядра		1.5V
Совместимость
Поддерживаемые сокеты	Fr2	PPGA370
Энергопотребление (TDP)	79 Watt	32.2 Watt
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации		1
Технологии
Технология Intel® Turbo Boost
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)