AMD Opteron 2350 HE vs Intel Pentium III 1266S
Сравнительный анализ процессоров AMD Opteron 2350 HE и Intel Pentium III 1266S по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Преимущества
Причины выбрать AMD Opteron 2350 HE
- На 3 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 4 vs 1
- Примерно на 57% больше тактовая частота: 2 GHz vs 1.27 GHz
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 65 nm vs 130 nm
- Кэш L1 в 32 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
- Кэш L2 в 4 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 9.1 раз(а) больше: 2820 vs 309
| Характеристики | |
| Количество ядер | 4 vs 1 |
| Максимальная частота | 2 GHz vs 1.27 GHz |
| Технологический процесс | 65 nm vs 130 nm |
| Кэш 1-го уровня | 256 KB (shared) vs 8 KB |
| Кэш 2-го уровня | 2048 KB (shared) vs 512 KB |
| Бенчмарки | |
| PassMark - CPU mark | 2820 vs 309 |
Причины выбрать Intel Pentium III 1266S
- В 2.6 раз меньше энергопотребление: 30.4 Watt vs 79 Watt
| Энергопотребление (TDP) | 30.4 Watt vs 79 Watt |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: AMD Opteron 2350 HE
CPU 2: Intel Pentium III 1266S
| PassMark - CPU mark |
|
|
| Название | AMD Opteron 2350 HE | Intel Pentium III 1266S |
|---|---|---|
| PassMark - Single thread mark | 0 | 0 |
| PassMark - CPU mark | 2820 | 309 |
Сравнение характеристик
| AMD Opteron 2350 HE | Intel Pentium III 1266S | |
|---|---|---|
Общая информация |
||
| Название архитектуры | Barcelona | Tualatin |
| Дата выпуска | October 2008 | Q4'01 |
| Место в рейтинге | 3328 | 3365 |
| Применимость | Server | Server |
| Серия | Legacy Intel® Pentium® Processor | |
| Статус | Discontinued | |
Производительность |
||
| Поддержка 64 bit | ||
| Площадь кристалла | 285 mm | 80 mm |
| Кэш 1-го уровня | 256 KB (shared) | 8 KB |
| Кэш 2-го уровня | 2048 KB (shared) | 512 KB |
| Кэш 3-го уровня | 2048 KB | |
| Технологический процесс | 65 nm | 130 nm |
| Максимальная температура корпуса (TCase) | 76 °C | 69 °C |
| Максимальная частота | 2 GHz | 1.27 GHz |
| Количество ядер | 4 | 1 |
| Количество транзисторов | 463 million | 44 million |
| Базовая частота | 1.26 GHz | |
| Bus Speed | 133 MHz FSB | |
| Максимальная температура ядра | 69°C | |
| Допустимое напряжение ядра | 1.5V | |
Совместимость |
||
| Поддерживаемые сокеты | Fr2 | PPGA370 |
| Энергопотребление (TDP) | 79 Watt | 30.4 Watt |
| Low Halogen Options Available | ||
| Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | |
Технологии |
||
| Технология Intel® Turbo Boost | ||
Виртуализация |
||
| Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||