Intel Core 2 Duo L7200 vs Intel Atom E660

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo L7200 и Intel Atom E660 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память, Графика, Периферийные устройства. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Core 2 Duo L7200

Intel Atom E660

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Duo L7200

На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
Примерно на 11% больше максимальная температура ядра: 100°C vs 90°C
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 2.5 раз(а) больше: 684 vs 271

Характеристики
Количество ядер	2 vs 1
Максимальная температура ядра	100°C vs 90°C
Бенчмарки
PassMark - CPU mark	684 vs 271

Причины выбрать Intel Atom E660

Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
В 4.3 раз меньше энергопотребление: 3.6 Watt vs 17 Watt

Технологический процесс	45 nm vs 65 nm
Энергопотребление (TDP)	3.6 Watt vs 17 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Duo L7200
CPU 2: Intel Atom E660

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

684

271

Название	Intel Core 2 Duo L7200	Intel Atom E660
PassMark - Single thread mark	0	0
PassMark - CPU mark	684	271

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Duo L7200	Intel Atom E660
Общая информация
Название архитектуры	Merom	Tunnel Creek
Дата выпуска	Q1'07	September 2010
Место в рейтинге	3333	3340
Номер процессора	L7200	E660
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel Atom® Processors
Статус	Discontinued	Launched
Применимость	Mobile	Embedded
Цена на дату первого выпуска		$54
Цена сейчас		$54
Соотношение цена/производительность (0-100)		1.48
Производительность
Поддержка 64 bit
Базовая частота	1.33 GHz	1.30 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB	2500 MHz PCIE
Площадь кристалла	143 mm2	26 mm
Технологический процесс	65 nm	45 nm
Максимальная температура ядра	100°C	90°C
Количество ядер	2	1
Количество транзисторов	291 million	47 million
Допустимое напряжение ядра	0.9V-1.1V	VCC (0.75 - 0.9V), VNN (0.75 - 1.1V)
Кэш 1-го уровня		64 KB (per core)
Кэш 2-го уровня		512 KB (per core)
Максимальная частота		1.3 GHz
Количество потоков		2
Совместимость
Low Halogen Options Available
Размер корпуса	35mm x 35mm	22mmx22mm
Поддерживаемые сокеты	PBGA479	FCBGA676
Энергопотребление (TDP)	17 Watt	3.6 Watt
Максимальное количество процессоров в конфигурации		1
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)
Память
Максимальное количество каналов памяти		1
Максимальный размер памяти		2 GB
Поддерживаемые типы памяти		DDR2 800
Графика
Graphics base frequency		400 MHz
Интегрированная графика		Integrated
Периферийные устройства
Количество линий PCI Express		4
Ревизия PCI Express		1.0a
PCIe configurations		x1, root complex only