Intel Core 2 Duo L7200 versus Intel Atom E660

Analyse comparative des processeurs Intel Core 2 Duo L7200 et Intel Atom E660 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization, Mémoire, Graphiques, Périphériques. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Core 2 Duo L7200

versus

Intel Atom E660

Différences

Raisons pour considerer le Intel Core 2 Duo L7200

1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
Environ 11% température maximale du noyau plus haut: 100°C versus 90°C
2.5x meilleur performance en PassMark - CPU mark: 684 versus 271

Caractéristiques
Nombre de noyaux	2 versus 1
Température de noyau maximale	100°C versus 90°C
Référence
PassMark - CPU mark	684 versus 271

Raisons pour considerer le Intel Atom E660

Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 45 nm versus 65 nm
4.3x consummation d’énergie moyen plus bas: 3.6 Watt versus 17 Watt

Processus de fabrication	45 nm versus 65 nm
Thermal Design Power (TDP)	3.6 Watt versus 17 Watt

Comparer les références

CPU 1: Intel Core 2 Duo L7200
CPU 2: Intel Atom E660

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

684

271

Nom	Intel Core 2 Duo L7200	Intel Atom E660
PassMark - Single thread mark	0	0
PassMark - CPU mark	684	271

Comparer les caractéristiques

	Intel Core 2 Duo L7200	Intel Atom E660
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Merom	Tunnel Creek
Date de sortie	Q1'07	September 2010
Position dans l’évaluation de la performance	3333	3340
Numéro du processeur	L7200	E660
Série	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel Atom® Processors
Statut	Discontinued	Launched
Segment vertical	Mobile	Embedded
Prix de sortie (MSRP)		$54
Prix maintenant		$54
Valeur pour le prix (0-100)		1.48
Performance
Soutien de 64-bit
Fréquence de base	1.33 GHz	1.30 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB	2500 MHz PCIE
Taille de dé	143 mm2	26 mm
Processus de fabrication	65 nm	45 nm
Température de noyau maximale	100°C	90°C
Nombre de noyaux	2	1
Compte de transistor	291 million	47 million
Rangée de tension VID	0.9V-1.1V	VCC (0.75 - 0.9V), VNN (0.75 - 1.1V)
Cache L1		64 KB (per core)
Cache L2		512 KB (per core)
Fréquence maximale		1.3 GHz
Nombre de fils		2
Compatibilité
Low Halogen Options Available
Dimensions du boîtier	35mm x 35mm	22mmx22mm
Prise courants soutenu	PBGA479	FCBGA676
Thermal Design Power (TDP)	17 Watt	3.6 Watt
Nombre de CPUs maximale dans une configuration		1
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Thermal Monitoring
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)
Mémoire
Réseaux de mémoire maximale		1
Taille de mémore maximale		2 GB
Genres de mémoire soutenus		DDR2 800
Graphiques
Graphics base frequency		400 MHz
Graphiques du processeur		Integrated
Périphériques
Nombre maximale des voies PCIe		4
Révision PCI Express		1.0a
PCIe configurations		x1, root complex only