Intel Core 2 Duo L7200 vs Intel Atom Z670
Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Duo L7200 и Intel Atom Z670 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация, Память, Графика, Графические интерфейсы, Периферийные устройства. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Преимущества
Причины выбрать Intel Core 2 Duo L7200
- На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
- Примерно на 11% больше максимальная температура ядра: 100°C vs 90
- Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 4.3 раз(а) больше: 684 vs 158
| Характеристики | |
| Количество ядер | 2 vs 1 |
| Максимальная температура ядра | 100°C vs 90 |
| Бенчмарки | |
| PassMark - CPU mark | 684 vs 158 |
Причины выбрать Intel Atom Z670
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
- В 5.7 раз меньше энергопотребление: 3 Watt vs 17 Watt
| Технологический процесс | 45 nm vs 65 nm |
| Энергопотребление (TDP) | 3 Watt vs 17 Watt |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Core 2 Duo L7200
CPU 2: Intel Atom Z670
| PassMark - CPU mark |
|
|
| Название | Intel Core 2 Duo L7200 | Intel Atom Z670 |
|---|---|---|
| PassMark - Single thread mark | 0 | 95 |
| PassMark - CPU mark | 684 | 158 |
Сравнение характеристик
| Intel Core 2 Duo L7200 | Intel Atom Z670 | |
|---|---|---|
Общая информация |
||
| Название архитектуры | Merom | Lincroft |
| Дата выпуска | Q1'07 | April 2011 |
| Место в рейтинге | 3333 | 3324 |
| Номер процессора | L7200 | Z670 |
| Серия | Legacy Intel® Core™ Processors | Legacy Intel Atom® Processors |
| Статус | Discontinued | Discontinued |
| Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
| Поддержка 64 bit | ||
| Базовая частота | 1.33 GHz | 1.50 GHz |
| Bus Speed | 667 MHz FSB | |
| Площадь кристалла | 143 mm2 | 65 mm |
| Технологический процесс | 65 nm | 45 nm |
| Максимальная температура ядра | 100°C | 90 |
| Количество ядер | 2 | 1 |
| Количество транзисторов | 291 million | 140 million |
| Допустимое напряжение ядра | 0.9V-1.1V | 1.1125-1.5000V |
| Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) | |
| Кэш 2-го уровня | 512 KB (per core) | |
| Максимальная частота | 1.5 GHz | |
| Количество потоков | 2 | |
Совместимость |
||
| Low Halogen Options Available | ||
| Размер корпуса | 35mm x 35mm | 13.8mmx13.8mm |
| Поддерживаемые сокеты | PBGA479 | T-PBGA518 |
| Энергопотребление (TDP) | 17 Watt | 3 Watt |
| Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | |
Безопасность и надежность |
||
| Execute Disable Bit (EDB) | ||
| Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
| Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
| Чётность FSB | ||
| Idle States | ||
| Intel 64 | ||
| Intel® Demand Based Switching | ||
| Технология Intel® Hyper-Threading | ||
| Технология Intel® Turbo Boost | ||
| Расширенные инструкции | Intel® SSE2, Intel® SSE3, Intel® SSSE3 | |
| Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
| Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
| Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | ||
Память |
||
| Максимальное количество каналов памяти | 1 | |
| Максимальный размер памяти | 2.93 GB | |
| Поддерживаемые типы памяти | DDR2 800 | |
Графика |
||
| Graphics base frequency | 400 MHz | |
| Интегрированная графика | Integrated | |
Графические интерфейсы |
||
| LVDS | ||
Периферийные устройства |
||
| Поддержка PCI | ||