Intel Core 2 Quad Q8200s vs Intel Celeron Dual-Core T1700

Сравнительный анализ процессоров Intel Core 2 Quad Q8200s и Intel Celeron Dual-Core T1700 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

Intel Core 2 Quad Q8200s

Intel Celeron Dual-Core T1700

Преимущества

Причины выбрать Intel Core 2 Quad Q8200s

На 2 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 4 vs 2
Примерно на 27% больше тактовая частота: 2.33 GHz vs 1.83 GHz
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
Кэш L2 в 4 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа

Количество ядер	4 vs 2
Максимальная частота	2.33 GHz vs 1.83 GHz
Технологический процесс	45 nm vs 65 nm
Кэш 2-го уровня	4096 KB vs 1024 KB

Причины выбрать Intel Celeron Dual-Core T1700

Примерно на 31% больше максимальная температура ядра: 100°C vs 76.3°C
Примерно на 86% меньше энергопотребление: 35 Watt vs 65 Watt

Максимальная температура ядра	100°C vs 76.3°C
Энергопотребление (TDP)	35 Watt vs 65 Watt

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core 2 Quad Q8200s
CPU 2: Intel Celeron Dual-Core T1700

Название	Intel Core 2 Quad Q8200s	Intel Celeron Dual-Core T1700
PassMark - Single thread mark		0
PassMark - CPU mark		1058

Сравнение характеристик

	Intel Core 2 Quad Q8200s	Intel Celeron Dual-Core T1700
Общая информация
Название архитектуры	Yorkfield	Merom
Дата выпуска	January 2009	7 December 2008
Место в рейтинге	not rated	3323
Processor Number	Q8200S	T1700
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Celeron® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Desktop	Mobile
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	2.33 GHz	1.83 GHz
Bus Speed	1333 MHz FSB	667 MHz FSB
Площадь кристалла	164 mm2	143 mm2
Кэш 1-го уровня	256 KB
Кэш 2-го уровня	4096 KB	1024 KB
Технологический процесс	45 nm	65 nm
Максимальная температура корпуса (TCase)	76 °C
Максимальная температура ядра	76.3°C	100°C
Максимальная частота	2.33 GHz	1.83 GHz
Количество ядер	4	2
Количество транзисторов	456 million	291 million
Допустимое напряжение ядра	0.8500V-1.3625V	1.075V-1.175V
Системная шина (FSB)		667 MHz
Количество потоков		2
Память
Поддерживаемые типы памяти	DDR1, DDR2, DDR3
Совместимость
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации	1
Package Size	37.5mm x 37.5mm	35mm x 35mm
Поддерживаемые сокеты	LGA775	PPGA478
Энергопотребление (TDP)	65 Watt	35 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® AES New Instructions
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)