Intel Pentium 4 HT 641 vs Intel Pentium D 830

Сравнительный анализ процессоров Intel Pentium 4 HT 641 и Intel Pentium D 830 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Pentium 4 HT 641

Intel Pentium D 830

Преимущества

Причины выбрать Intel Pentium 4 HT 641

Процессор новее, разница в датах выпуска 8 month(s)
Примерно на 7% больше тактовая частота: 3.2 GHz vs 3 GHz
Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 65 nm vs 90 nm
Примерно на 51% меньше энергопотребление: 86 Watt vs 130 Watt

Дата выпуска	January 2006 vs May 2005
Максимальная частота	3.2 GHz vs 3 GHz
Технологический процесс	65 nm vs 90 nm
Энергопотребление (TDP)	86 Watt vs 130 Watt

Причины выбрать Intel Pentium D 830

На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1

Количество ядер	2 vs 1
Максимальное количество процессоров в конфигурации	2 vs 1

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Pentium 4 HT 641
CPU 2: Intel Pentium D 830

Название	Intel Pentium 4 HT 641	Intel Pentium D 830
PassMark - Single thread mark		574
PassMark - CPU mark		564
Geekbench 4 - Single Core		198
Geekbench 4 - Multi-Core		341

Сравнение характеристик

	Intel Pentium 4 HT 641	Intel Pentium D 830
Общая информация
Название архитектуры	Cedarmill	Smithfield
Дата выпуска	January 2006	May 2005
Место в рейтинге	not rated	3159
Processor Number	641	830
Серия	Legacy Intel® Pentium® Processor	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Desktop	Desktop
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	3.20 GHz	3.00 GHz
Bus Speed	800 MHz FSB	800 MHz FSB
Площадь кристалла	81 mm2	206 mm2
Кэш 1-го уровня	28 KB	28 KB
Кэш 2-го уровня	2048 KB	2048 KB
Технологический процесс	65 nm	90 nm
Максимальная температура ядра	B1,C1=69.2°C; D0-64.4°C	69.8°C
Максимальная частота	3.2 GHz	3 GHz
Количество ядер	1	2
Количество транзисторов	188 million	230 million
Допустимое напряжение ядра	1.200V-1.3375V	1.200V-1.400V
Память
Поддерживаемые типы памяти	DDR1, DDR2, DDR3	DDR1, DDR2, DDR3
Совместимость
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации	1	2
Package Size	37.5mm x 37.5mm	37.5mm x 37.5mm
Scenario Design Power (SDP)	0 W
Поддерживаемые сокеты	PLGA775	PLGA775
Энергопотребление (TDP)	86 Watt	130 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Physical Address Extensions (PAE)	32-bit	32-bit
Thermal Monitoring
Intel® AES New Instructions
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)