Intel Celeron M 722 versus Intel Core 2 Duo T5850

Analyse comparative des processeurs Intel Celeron M 722 et Intel Core 2 Duo T5850 pour tous les caractéristiques dans les catégories suivants: Essentiel, Performance, Compatibilité, Sécurité & fiabilité, Technologies élevé, Virtualization. Analyse de référence de la performance des processeurs: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Celeron M 722

versus

Intel Core 2 Duo T5850

Différences

Raisons pour considerer le Intel Celeron M 722

Un processus de fabrication nouveau soutien un processeur avec plus de pouvoir, mais moins chaud: 45 nm versus 65 nm
5.7x consummation d’énergie moyen plus bas: 5.5 Watt versus 34 Watt

Processus de fabrication	45 nm versus 65 nm
Thermal Design Power (TDP)	5.5 Watt versus 34 Watt

Raisons pour considerer le Intel Core 2 Duo T5850

1 plus de noyaux, lancer plus d’applications á la fois: 2 versus 1
1 plus de fils: 2 versus 1
Environ 75% vitesse de fonctionnement plus vite: 2.1 GHz versus 1.2 GHz
2x plus de la cache L2, le plus d’info qui peut être entreposé dans la cache L2 pour l’accès facil plus tard

Nombre de noyaux	2 versus 1
Nombre de fils	2 versus 1
Fréquence maximale	2.1 GHz versus 1.2 GHz
Cache L2	2 MB versus 1024 KB

Comparer les références

CPU 1: Intel Celeron M 722
CPU 2: Intel Core 2 Duo T5850

Nom	Intel Celeron M 722	Intel Core 2 Duo T5850
PassMark - Single thread mark		787
PassMark - CPU mark		687
Geekbench 4 - Single Core		241
Geekbench 4 - Multi-Core		430

Comparer les caractéristiques

	Intel Celeron M 722	Intel Core 2 Duo T5850
Essentiel
Nom de code de l’architecture	Penryn	Merom
Date de sortie	1 October 2008	1 October 2008
Position dans l’évaluation de la performance	not rated	2936
Processor Number	722
Série	Legacy Intel® Celeron® Processor	Intel Core 2 Duo
Status	Discontinued
Segment vertical	Mobile	Laptop
Prix maintenant		$15.90
Valeur pour le prix (0-100)		22.13
Performance
Soutien de 64-bit
Base frequency	1.20 GHz
Bus Speed	800 MHz FSB
Taille de dé	107 mm2
Front-side bus (FSB)	800 MHz	667 MHz
Cache L1	64 KB
Cache L2	1024 KB	2 MB
Processus de fabrication	45 nm	65 nm
Température de noyau maximale	105°C
Fréquence maximale	1.2 GHz	2.1 GHz
Nombre de noyaux	1	2
Nombre de fils	1	2
Compte de transistor	410 million
Rangée de tension VID	0.775V - 1.1V
Compatibilité
Low Halogen Options Available
Package Size	22mm x 22mm
Prise courants soutenu	BGA956
Thermal Design Power (TDP)	5.5 Watt	34 Watt
Sécurité & fiabilité
Execute Disable Bit (EDB)
Technologie Intel® Trusted Execution (TXT)
Technologies élevé
Technologie Enhanced Intel SpeedStep®
FSB parity
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Technologie Intel® Hyper-Threading
Technologie Intel® Turbo Boost
Virtualization
Intel® Virtualization Technology (VT-x)