AMD Ryzen Embedded R1600 vs Intel Pentium D 840 EE
Сравнительный анализ процессоров AMD Ryzen Embedded R1600 и Intel Pentium D 840 EE по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Периферийные устройства, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.
Преимущества
Причины выбрать AMD Ryzen Embedded R1600
- Процессор новее, разница в датах выпуска 14 year(s) 9 month(s)
- Примерно на 50% больше максимальная температура ядра: 105 °C vs 69.8°C
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 14 nm vs 90 nm
- Кэш L1 в 6.9 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
- В 8.7 раз меньше энергопотребление: 15 Watt vs 130 Watt
Дата выпуска | 25 Feb 2020 vs May 2005 |
Максимальная температура ядра | 105 °C vs 69.8°C |
Технологический процесс | 14 nm vs 90 nm |
Кэш 1-го уровня | 192 KB vs 28 KB |
Энергопотребление (TDP) | 15 Watt vs 130 Watt |
Причины выбрать Intel Pentium D 840 EE
- Примерно на 3% больше тактовая частота: 3.2 GHz vs 3.1 GHz
- Кэш L2 в 2 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Максимальная частота | 3.2 GHz vs 3.1 GHz |
Кэш 2-го уровня | 2048 KB vs 1 MB |
Максимальное количество процессоров в конфигурации | 2 vs 1 |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: AMD Ryzen Embedded R1600
CPU 2: Intel Pentium D 840 EE
Название | AMD Ryzen Embedded R1600 | Intel Pentium D 840 EE |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 1724 | |
PassMark - CPU mark | 3276 |
Сравнение характеристик
AMD Ryzen Embedded R1600 | Intel Pentium D 840 EE | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Zen | Smithfield |
Дата выпуска | 25 Feb 2020 | May 2005 |
Место в рейтинге | 1498 | not rated |
Применимость | Mobile | Desktop |
Processor Number | 840 | |
Серия | Legacy Intel® Pentium® Processor | |
Status | Discontinued | |
Производительность |
||
Base frequency | 2.6 GHz | 3.20 GHz |
Площадь кристалла | 209.8 mm² | 206 mm2 |
Кэш 1-го уровня | 192 KB | 28 KB |
Кэш 2-го уровня | 1 MB | 2048 KB |
Кэш 3-го уровня | 4 MB | |
Технологический процесс | 14 nm | 90 nm |
Максимальная температура ядра | 105 °C | 69.8°C |
Максимальная частота | 3.1 GHz | 3.2 GHz |
Количество ядер | 2 | 2 |
Количество потоков | 4 | |
Количество транзисторов | 4950 million | 230 million |
Разблокирован | ||
Поддержка 64 bit | ||
Bus Speed | 800 MHz FSB | |
Допустимое напряжение ядра | 1.200-1.400V | |
Память |
||
Поддержка ECC-памяти | ||
Максимальное количество каналов памяти | 2 | |
Поддерживаемые типы памяти | DDR4-2400 | DDR1, DDR2, DDR3 |
Совместимость |
||
Configurable TDP-down | 12 Watt | |
Configurable TDP-up | 25 Watt | |
Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 | 2 |
Socket Count | FP5 | |
Энергопотребление (TDP) | 15 Watt | 130 Watt |
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 37.5mm x 37.5mm | |
Поддерживаемые сокеты | PLGA775 | |
Периферийные устройства |
||
Количество линий PCI Express | 8 | |
Ревизия PCI Express | 3.0 | |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® AES New Instructions | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Physical Address Extensions (PAE) | 32-bit | |
Thermal Monitoring | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) | ||
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) |