Intel Celeron M 722 vs Intel Core 2 Duo T5800
Сравнительный анализ процессоров Intel Celeron M 722 и Intel Core 2 Duo T5800 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.
Преимущества
Причины выбрать Intel Celeron M 722
- Примерно на 24% больше максимальная температура ядра: 105°C vs 85°C
- Более новый технологический процесс производства процессора позволяет его сделать более мощным, но с меньшим энергопотреблением: 45 nm vs 65 nm
- В 5.8 раз меньше энергопотребление: 5.5 Watt vs 35 Watt
Максимальная температура ядра | 105°C vs 85°C |
Технологический процесс | 45 nm vs 65 nm |
Энергопотребление (TDP) | 5.5 Watt vs 35 Watt |
Причины выбрать Intel Core 2 Duo T5800
- На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
- На 1 потоков больше: 2 vs 1
- Примерно на 67% больше тактовая частота: 2 GHz vs 1.2 GHz
- Кэш L2 в 2 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Количество ядер | 2 vs 1 |
Количество потоков | 2 vs 1 |
Максимальная частота | 2 GHz vs 1.2 GHz |
Кэш 2-го уровня | 2048 KB vs 1024 KB |
Сравнение бенчмарков
CPU 1: Intel Celeron M 722
CPU 2: Intel Core 2 Duo T5800
Название | Intel Celeron M 722 | Intel Core 2 Duo T5800 |
---|---|---|
PassMark - Single thread mark | 722 | |
PassMark - CPU mark | 622 | |
Geekbench 4 - Single Core | 238 | |
Geekbench 4 - Multi-Core | 410 |
Сравнение характеристик
Intel Celeron M 722 | Intel Core 2 Duo T5800 | |
---|---|---|
Общая информация |
||
Название архитектуры | Penryn | Merom |
Дата выпуска | 1 October 2008 | 1 October 2008 |
Место в рейтинге | not rated | 3009 |
Processor Number | 722 | T5800 |
Серия | Legacy Intel® Celeron® Processor | Legacy Intel® Core™ Processors |
Status | Discontinued | Discontinued |
Применимость | Mobile | Mobile |
Производительность |
||
Поддержка 64 bit | ||
Base frequency | 1.20 GHz | 2.00 GHz |
Bus Speed | 800 MHz FSB | 800 MHz FSB |
Площадь кристалла | 107 mm2 | 143 mm2 |
Системная шина (FSB) | 800 MHz | 800 MHz |
Кэш 1-го уровня | 64 KB | |
Кэш 2-го уровня | 1024 KB | 2048 KB |
Технологический процесс | 45 nm | 65 nm |
Максимальная температура ядра | 105°C | 85°C |
Максимальная частота | 1.2 GHz | 2 GHz |
Количество ядер | 1 | 2 |
Количество потоков | 1 | 2 |
Количество транзисторов | 410 million | 291 million |
Допустимое напряжение ядра | 0.775V - 1.1V | 1.075V-1.175V |
Совместимость |
||
Low Halogen Options Available | ||
Package Size | 22mm x 22mm | 35mm x 35mm |
Поддерживаемые сокеты | BGA956 | PPGA478 |
Энергопотребление (TDP) | 5.5 Watt | 35 Watt |
Безопасность и надежность |
||
Execute Disable Bit (EDB) | ||
Технология Intel® Trusted Execution (TXT) | ||
Технологии |
||
Технология Enhanced Intel SpeedStep® | ||
Чётность FSB | ||
Idle States | ||
Intel 64 | ||
Intel® Demand Based Switching | ||
Технология Intel® Hyper-Threading | ||
Технология Intel® Turbo Boost | ||
Технология Intel® Active Management (AMT) | ||
Виртуализация |
||
Intel® Virtualization Technology (VT-x) |