Intel Core Duo T2300 vs Intel Pentium D 950

Сравнительный анализ процессоров Intel Core Duo T2300 и Intel Pentium D 950 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Core Duo T2300

Intel Pentium D 950

Преимущества

Причины выбрать Intel Core Duo T2300

В 4.2 раз меньше энергопотребление: 31 Watt vs 130 Watt

Энергопотребление (TDP)	31 Watt vs 130 Watt

Причины выбрать Intel Pentium D 950

Примерно на 105% больше тактовая частота: 3.4 GHz vs 1.66 GHz
Кэш L2 в 2 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Производительность в бенчмарке PassMark - Single thread mark примерно на 37% больше: 695 vs 509
Производительность в бенчмарке PassMark - CPU mark в 2.1 раз(а) больше: 681 vs 325

Характеристики
Максимальная частота	3.4 GHz vs 1.66 GHz
Кэш 2-го уровня	4096 KB vs 2048 KB
Максимальное количество процессоров в конфигурации	2 vs 1
Бенчмарки
PassMark - Single thread mark	695 vs 509
PassMark - CPU mark	681 vs 325

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Core Duo T2300
CPU 2: Intel Pentium D 950

PassMark - Single thread mark

CPU 1

CPU 2

509

695

PassMark - CPU mark

CPU 1

CPU 2

325

681

Название	Intel Core Duo T2300	Intel Pentium D 950
PassMark - Single thread mark	509	695
PassMark - CPU mark	325	681
Geekbench 4 - Single Core		220
Geekbench 4 - Multi-Core		389

Сравнение характеристик

	Intel Core Duo T2300	Intel Pentium D 950
Общая информация
Название архитектуры	Yonah	Presler
Дата выпуска	January 2006	January 2006
Место в рейтинге	3005	3051
Processor Number	T2300	950
Серия	Legacy Intel® Core™ Processors	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Mobile	Desktop
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	1.66 GHz	3.40 GHz
Bus Speed	667 MHz FSB	800 MHz FSB
Площадь кристалла	90 mm2	162 mm2
Системная шина (FSB)	667 MHz
Кэш 2-го уровня	2048 KB	4096 KB
Технологический процесс	65 nm	65 nm
Максимальная температура ядра	100°C	C1+D0=63.4°C, B1=68.6°C
Максимальная частота	1.66 GHz	3.4 GHz
Количество ядер	2	2
Количество потоков	2
Количество транзисторов	151 million	376 million
Допустимое напряжение ядра	1.1625V - 1.30V	1.200V-1.3375V
Кэш 1-го уровня		28 KB
Память
Поддерживаемые типы памяти	DDR1	DDR1, DDR2, DDR3
Совместимость
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации	1	2
Package Size	35mm x 35mm	37.5mm x 37.5mm
Scenario Design Power (SDP)	0 W
Поддерживаемые сокеты	PPGA478, PBGA479	PLGA775
Энергопотребление (TDP)	31 Watt	130 Watt
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Physical Address Extensions (PAE)	32-bit	32-bit
Intel® AES New Instructions
Thermal Monitoring
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)