Intel Pentium Dual-Core E2160 vs Intel Pentium 4 HT 631

Сравнительный анализ процессоров Intel Pentium Dual-Core E2160 и Intel Pentium 4 HT 631 по всем известным характеристикам в категориях: Общая информация, Производительность, Память, Совместимость, Безопасность и надежность, Технологии, Виртуализация. Анализ производительности процессоров по бенчмаркам: PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark, Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core.

Intel Pentium Dual-Core E2160

Intel Pentium 4 HT 631

Преимущества

Причины выбрать Intel Pentium Dual-Core E2160

На 1 ядра больше, возможность запускать больше приложений одновременно: 2 vs 1
Кэш L1 в 4.6 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа
Примерно на 32% меньше энергопотребление: 65 Watt vs 86 Watt

Количество ядер	2 vs 1
Кэш 1-го уровня	64 KB (per core) vs 28 KB
Энергопотребление (TDP)	65 Watt vs 86 Watt

Причины выбрать Intel Pentium 4 HT 631

Примерно на 67% больше тактовая частота: 3 GHz vs 1.8 GHz
Кэш L2 в 2 раз(а) больше, значит больше данных можно в нём сохранить для быстрого доступа

Максимальная частота	3 GHz vs 1.8 GHz
Кэш 2-го уровня	2048 KB vs 1024 KB (shared)

Сравнение бенчмарков

CPU 1: Intel Pentium Dual-Core E2160
CPU 2: Intel Pentium 4 HT 631

Название	Intel Pentium Dual-Core E2160	Intel Pentium 4 HT 631
PassMark - Single thread mark	682
PassMark - CPU mark	657
Geekbench 4 - Single Core	198
Geekbench 4 - Multi-Core	347

Сравнение характеристик

	Intel Pentium Dual-Core E2160	Intel Pentium 4 HT 631
Общая информация
Название архитектуры	Conroe	Cedarmill
Дата выпуска	Q3'06	January 2006
Место в рейтинге	3072	not rated
Processor Number	E2160	631
Серия	Legacy Intel® Pentium® Processor	Legacy Intel® Pentium® Processor
Status	Discontinued	Discontinued
Применимость	Desktop	Desktop
Производительность
Поддержка 64 bit
Base frequency	1.80 GHz	3.00 GHz
Bus Speed	800 MHz FSB	800 MHz FSB
Площадь кристалла	77 mm2	81 mm2
Кэш 1-го уровня	64 KB (per core)	28 KB
Кэш 2-го уровня	1024 KB (shared)	2048 KB
Технологический процесс	65 nm	65 nm
Максимальная температура ядра	73.3°C	B1+C1=69.2°C. D0=64.1°C
Максимальная частота	1.8 GHz	3 GHz
Количество ядер	2	1
Количество транзисторов	105 million	188 million
Допустимое напряжение ядра	0.8500V-1.5V	1.200V-1.3375V
Максимальная температура корпуса (TCase)		69 °C
Память
Поддерживаемые типы памяти	DDR1, DDR2, DDR3	DDR1, DDR2, DDR3
Совместимость
Low Halogen Options Available
Максимальное количество процессоров в конфигурации	1	1
Package Size	37.5mm x 37.5mm	37.5mm x 37.5mm
Поддерживаемые сокеты	LGA775	PLGA775
Энергопотребление (TDP)	65 Watt	86 Watt
Scenario Design Power (SDP)		0 W
Безопасность и надежность
Execute Disable Bit (EDB)
Технология Intel® Trusted Execution (TXT)
Технологии
Технология Enhanced Intel SpeedStep®
Чётность FSB
Idle States
Intel 64
Intel® AES New Instructions
Intel® Demand Based Switching
Технология Intel® Hyper-Threading
Технология Intel® Turbo Boost
Thermal Monitoring
Physical Address Extensions (PAE)		32-bit
Виртуализация
Intel® Virtualization Technology (VT-x)
Intel® Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d)