Intel Core 2 Duo SU7300 vs AMD Mobile Sempron 210U

Vergleichende Analyse von Intel Core 2 Duo SU7300 und AMD Mobile Sempron 210U Prozessoren für alle bekannten Merkmale in den folgenden Kategorien: Essenzielles, Leistung, Kompatibilität, Sicherheit & Zuverlässigkeit, Fortschrittliche Technologien, Virtualisierung. Benchmark-Prozessorleistungsanalyse: Geekbench 4 - Single Core, Geekbench 4 - Multi-Core, PassMark - Single thread mark, PassMark - CPU mark.

 

Unterschiede

Gründe, die für die Berücksichtigung der Intel Core 2 Duo SU7300

  • CPU ist neuer: Startdatum 7 Monat(e) später
  • 1 mehr Kerne, mehr Anwendungen auf einmal ausführen: 2 vs 1
  • 1 Mehr Kanäle: 2 vs 1
  • Ein neuerer Herstellungsprozess ermöglicht einen leistungsfähigeren, aber dennoch kühleren laufenden Prozessor: 45 nm vs 65 nm
  • 12x mehr L2 Cache, mehr Daten können im L2 Cache gespeichert werden, um später schnell darauf zugreifen zu können
  • Etwa 50% geringere typische Leistungsaufnahme: 10 Watt vs 15 Watt
Startdatum 1 September 2009 vs 16 January 2009
Anzahl der Adern 2 vs 1
Anzahl der Gewinde 2 vs 1
Fertigungsprozesstechnik 45 nm vs 65 nm
L2 Cache 3 MB vs 256 KB
Thermische Designleistung (TDP) 10 Watt vs 15 Watt

Gründe, die für die Berücksichtigung der AMD Mobile Sempron 210U

  • Etwa 15% höhere Taktfrequenz: 1.5 GHz vs 1.3 GHz
Maximale Frequenz 1.5 GHz vs 1.3 GHz

Benchmarks vergleichen

CPU 1: Intel Core 2 Duo SU7300
CPU 2: AMD Mobile Sempron 210U

Name Intel Core 2 Duo SU7300 AMD Mobile Sempron 210U
Geekbench 4 - Single Core 177
Geekbench 4 - Multi-Core 309
PassMark - Single thread mark 299
PassMark - CPU mark 267

Vergleichen Sie Spezifikationen

Intel Core 2 Duo SU7300 AMD Mobile Sempron 210U

Essenzielles

Architektur Codename Penryn
Startdatum 1 September 2009 16 January 2009
Platz in der Leistungsbewertung 3290 3240
Serie Intel Core 2 Duo AMD Mobile Sempron
Vertikales Segment Laptop Laptop

Leistung

64-Bit-Unterstützung
Matrizengröße 107 mm
Frontseitiger Bus (FSB) 800 MHz 1600 MHz
L2 Cache 3 MB 256 KB
Fertigungsprozesstechnik 45 nm 65 nm
Maximale Frequenz 1.3 GHz 1.5 GHz
Anzahl der Adern 2 1
Anzahl der Gewinde 2 1
Anzahl der Transistoren 410 Million
L1 Cache 128 KB

Kompatibilität

Unterstützte Sockel BGA956 812-ball BGA
Thermische Designleistung (TDP) 10 Watt 15 Watt

Sicherheit & Zuverlässigkeit

Intel® Trusted Execution Technologie (TXT)

Fortschrittliche Technologien

Enhanced Intel SpeedStep® Technologie

Virtualisierung

Intel® Virtualization Technology (VT-x)